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1. (WO2008039298) BALLAST ÉLECTRONIQUE À CIRCUIT DE DÉMARRAGE D'ONDULEUR AMÉLIORÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/039298    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/019628
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 10.09.2007
CIB :
H05B 41/36 (2006.01)
Déposants : OSRAM SYLVANIA INC. [US/US]; 100 Endicott Street, Danvers, MA 01923 (US) (Tous Sauf US).
GAHALAUT, Piyush [IN/IN]; (IN) (US Seulement)
Inventeurs : GAHALAUT, Piyush; (IN)
Mandataire : CHICK, Marshall, J.; Frishauf, Holtz, Goodman & Chick, P.C., 220 Fifth Avenue, 16th Fl., New York, NY 10001-7708 (US)
Données relatives à la priorité :
11/537,620 30.09.2006 US
Titre (EN) ELECTRONIC BALLAST WITH IMPROVED INVERTER STARTUP CIRCUIT
(FR) BALLAST ÉLECTRONIQUE À CIRCUIT DE DÉMARRAGE D'ONDULEUR AMÉLIORÉ
Abrégé : front page image
(EN)An electronic ballast (20) for powering at least one gas discharge lamp (30) comprises a self-oscillating half-bridge inverter (200') having an inverter startup circuit (286,288,290) that does not require a voltage breakdown device, such as a diac. Inverter startup circuit (286,288,290) comprises a first resistor (286), a second resistor (288), and a capacitor (290).
(FR)Ballast électronique (20) conçu pour alimenter au moins une lampe à décharge (30), ledit ballast électronique (30) comprenant un onduleur en demi-pont auto-oscillant (200') doté d'un circuit de démarrage (286, 288, 290) d'onduleur capable de fonctionner sans dispositif à tension de claquage, tel qu'un composant diac. Le circuit de démarrage (286, 288, 290) d'onduleur comprend une première résistance (286), une deuxième résistance (288) et un condensateur (290).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)