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1. (WO2008039214) CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE SOLIDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/039214    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/041960
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 27.10.2006
CIB :
H01G 9/00 (2006.01)
Déposants : NIPPON CHEMI-CON CORPORATION [JP/JP]; 5-6-4, OSAKI, Shinagawa-ku, Tokyo, 141-8605 (JP) (Tous Sauf US).
UENO, Kaoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
DOMINEY, Larry [US/US]; (US) (US Seulement).
WAKABAYASHI, Toshiki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOGAMI, Katsunori [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UENO, Kaoru; (JP).
DOMINEY, Larry; (US).
WAKABAYASHI, Toshiki; (JP).
NOGAMI, Katsunori; (JP)
Mandataire : COX, Scott, R.; LYNCH, COX, GILMAN & MAHAN, P.S.C., 500 W. Jefferson Street, Suite 2100, Louisville, KY 40202 (US)
Données relatives à la priorité :
PCT/US2006/038025 29.09.2006 US
Titre (EN) SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE SOLIDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A solid electrolytic capacitor with a high voltage resistance property and a method of manufacturing the same is disclosed. The solid electrolytic capacitor is formed including an electrolyte layer on an anode electrode formed of a metal oxide dielectric by a polymerization reaction in which the polymerizable monomer or the monomer solution is mixed with an oxidant, wherein a Lewis base having a steric hindrance group with a nitrogen atom or a Lewis base having a hydrophilic radical with a nitrogen atom is adhered to a surface of the dielectric or incorporated in the electrolyte layer.
(FR)La présente invention concerne un condensateur électrolytique solide ayant une propriété de résistance à la tension élevée et un procédé de fabrication de celui-ci. Ledit condensateur est formé en incluant une couche électrolytique sur une électrode anodique faite d'un diélectrique en oxyde métallique par une réaction de polymérisation dans laquelle le monomère polymérisable ou la solution de monomères est mélangée à un oxydant, une base de Lewis présentant un groupe à encombrement stérique avec un atome d'azote ou une base de Lewis présentant un radical hydrophile avec un atome d'azote étant mise à adhérer sur une surface du diélectrique ou intégrée dans la couche électrolytique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)