WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008039078) CELLULE SOLAIRE À CONTACT ARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/039078    N° de la demande internationale :    PCT/NO2007/000339
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 27.09.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.11.2008    
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : RENEWABLE ENERGY CORPORATION ASA [NO/NO]; P.O. Box 280, N-1323 Høvik (NO) (Tous Sauf US).
SAUAR, Erik [NO/NO]; (NO) (US Seulement).
BENTZEN, Andreas [NO/NO]; (NO) (US Seulement)
Inventeurs : SAUAR, Erik; (NO).
BENTZEN, Andreas; (NO)
Mandataire : ONSAGERS AS; P.O. Box 6963 St. Olavs plass, N-0130 Oslo (NO)
Données relatives à la priorité :
60/848,010 29.09.2006 US
0622393.7 09.11.2006 GB
Titre (EN) BACK CONTACTED SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE À CONTACT ARRIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to a cost effective method of producing a back contacted silicon solar cell and the cell made by the method, where the method comprises applying a silicon substrate, wafer or thin film, doped on the back side with alternating P-type and N-type conductivity in an interdigitated pattern and optionally a layer of either P- or N-type on the front side of the wafer, depositing one or more surface passivation layers on both sides of the substrate, creating openings in the surface passivation layers on the back side of the substrate, depositing a metallic layer covering the entire back side and which fills the openings in the surface passivation layers, and creating openings in the deposited metallic layer such that electric insulated contacts with the doped regions on the back side of the substrate is obtained.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé économique permettant de produire une cellule solaire en silicium à contact arrière, et à une cellule produite à l'aide du procédé. Le procédé selon l'invention consiste : à fournir un substrat, une plaquette ou un film mince en silicium, qui est dopé(e) sur la face arrière par des matériaux de conductivité de type P et de type N alternant selon un motif interdigité, et contient éventuellement une couche de type soit P soit N sur la face avant de la plaquette; à déposer une ou plusieurs couches de passivation de surface sur les deux faces du substrat; à former des ouvertures dans les couches de passivation de surface sur la face arrière du substrat; à déposer une couche métallique recouvrant l'intégralité de la face arrière et remplissant les ouvertures formées dans les couches de passivation de surface; et à former des ouvertures dans la couche métallique déposée de façon à établir des contacts isolés électriquement avec les régions dopées sur le côté arrière du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)