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1. (WO2008039067) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE PHOTOPILES SOLAIRES AU SILICIUM CRISTALLIN À PASSIVATION SUPERFICIELLE AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/039067    N° de la demande internationale :    PCT/NL2007/050459
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 20.09.2007
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Déposants : ECN Energieonderzoek Centrum Nederland [NL/NL]; Westerduinweg 3, NL-1755 LE Petten (NL) (Tous Sauf US).
KOMATSU, Yuji [JP/NL]; (NL) (US Seulement).
GEERLIGS, Lambert, Johan [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MIHAILETCHI, Valentin, Dan [RO/--]; (US Seulement)
Inventeurs : KOMATSU, Yuji; (NL).
GEERLIGS, Lambert, Johan; (NL).
MIHAILETCHI, Valentin, Dan;
Mandataire : VAN WESTENBRUGGE, Andries; Postbus 29720, NL-2502 LS Den Haag (NL)
Données relatives à la priorité :
2000248 25.09.2006 NL
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS WITH IMPROVED SURFACE PASSIVATION
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE PHOTOPILES SOLAIRES AU SILICIUM CRISTALLIN À PASSIVATION SUPERFICIELLE AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of manufacturing a crystalline silicon solar cell, comprising: - providing a crystalline silicon substrate having a front side and a back side; - forming a thin silicon oxide film on at least one of the front and the back side by soaking the crystalline silicon substrate in a chemical solution; - forming a dielectric coating film on the thin silicon oxide film on at least one of the front and the back side. The thin silicon oxide film may be formed with a thickness of 0.5-10 nm. By forming a oxide layer using a chemical solution, it is possible to form a thin oxide film for surface passivation wherein the relatively low temperature avoids deterioration of the semiconductor layers.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une photopile solaire au silicium cristallin, ce procédé consistant à : produire un substrat au silicium cristallin présentant une face avant et une face arrière; former un film d'oxyde de silicium fin sur au moins une des faces avant et arrière en faisant tremper le substrat de silicium cristallin dans une solution chimique; former un film de revêtement diélectrique sur le film d'oxyde de silicium fin sur au moins une des faces avant et arrière. Le film d'oxyde de silicium fin peut avoir une épaisseur comprise entre 0,5 et 10 nm. En formant une couche d'oxyde à l'aide d'une solution chimique, il est possible d'obtenir un film d'oxyde fin pour une passivation superficielle, la température relativement basse évitant une détérioration des couches à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)