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1. (WO2008038863) NOUVEAU POLYMÈRE ORGANOSILANE, COMPOSITION DE MASQUE DUR POUR FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE COMPRENANT LE POLYMÈRE ORGANOSILANE, ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN DISPOSITIF À CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN DE LA COMPOSITION DE MASQUE DUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/038863    N° de la demande internationale :    PCT/KR2006/005915
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 31.12.2006
CIB :
G03F 7/004 (2006.01)
Déposants : CHEIL INDUSTRIES INC. [KR/KR]; 290, Gongdan 2-dong, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-710 (KR) (Tous Sauf US).
YOON, Hui Chan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Sang Kyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LIM, Sang Hak [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
UH, Dong Sun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Jong Seob [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Chang Il [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YOON, Hui Chan; (KR).
KIM, Sang Kyun; (KR).
LIM, Sang Hak; (KR).
UH, Dong Sun; (KR).
KIM, Jong Seob; (KR).
OH, Chang Il; (KR)
Mandataire : PARK, Yong Soon; 2nd Floor, Sanwon Bldg., 636-15 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-908 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0094967 28.09.2006 KR
Titre (EN) NOVEL ORGANOSILANE POLYMER, HARDMASK COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM COMPRISING THE ORGANOSILANE POLYMER, AND PROCESS OF PRODUCING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING THE HARDMASK COMPOSITION
(FR) NOUVEAU POLYMÈRE ORGANOSILANE, COMPOSITION DE MASQUE DUR POUR FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE COMPRENANT LE POLYMÈRE ORGANOSILANE, ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN DISPOSITIF À CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR AU MOYEN DE LA COMPOSITION DE MASQUE DUR
Abrégé : front page image
(EN)A hardmask composition for processing a resist underlayer film is provided. The hardmask composition comprises: (a) an organosilane polymer prepared by reacting polycondensation products of hydrolysates of compounds represented by Formulae 1, 2 and 3: [RO]3Si-Ar (1) (wherein R is methyl or ethyl and Ar is an aromatic ring-containing functional group), [RO]3Si-H (2) (wherein R is methyl or ethyl), and [RO]3 Si-R' (3) (wherein R is methyl or ethyl and R'is substituted or unsubstituted cyclic or acyclic alkyl) with ethyl vinyl ether of Formula 4: CH2 CHOCH2 CH3 (4) in the presence of an acid catalyst; (b) a solvent; and (c) a crosslinking catalyst.
(FR)Cette invention concerne une composition de masque dur permettant de traiter un film de sous-couche de réserve. La composition de masque dur comprend: (a) un polymère organosilane préparé par réaction de produits de polycondensation d'hydrolysats comprenant les composés représentés par les formules 1, 2 et 3: [RO]3Si-Ar (1) (dans cette formule, R représente méthyle ou éthyle et Ar est un groupe fonctionnel contenant un noyau aromatique), [RO]3Si-H (2) (dans cette formule, R représente méthyle ou éthyle), et [RO]3 Si-R' (3) (dans cette formule, R représente méthyle ou éthyle et R' représente un alkyle acyclique ou cyclique substitué ou non substitué) avec un éther éthylvinylique représenté par la formule 4: CH2 CHOCH2 CH3 (4) en présence d'un catalyseur acide; (b) un solvant; et (c) un catalyseur de réticulation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)