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1. (WO2008038786) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE PLAQUETTES EN SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/038786    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/069024
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 28.09.2007
CIB :
H01L 21/322 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : SUMCO TECHXIV CORPORATION [JP/JP]; 1324-2, Masuragahara-machi Omura-shi, Nagasaki 856-8555 (JP) (Tous Sauf US).
SADOHARA, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAMURA, Kozo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHINO, Shiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SADOHARA, Shinya; (JP).
NAKAMURA, Kozo; (JP).
YOSHINO, Shiro; (JP)
Mandataire : AIKAWA, Toshihiko; Nakano Bldg. #3, 12-5 Minami Ikebukuro 2-chome Toshima-ku, Tokyo 1710022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-270064 29.09.2006 JP
Titre (EN) SILICON WAFER HEAT TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE DE PLAQUETTES EN SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの熱処理方法
Abrégé : front page image
(EN)A silicon wafer preferable to a semiconductor device is produced by determining a heat treatment condition hardly causing slip dislocations and heat-treating the silicon wafer under the condition. The resistance is calculated by using a calculation formula used for predicting the slip resistance of the wafer from the density, size, and residual solid-solution oxygen concentration of the oxygen precipitation in the silicon wafer, the state of oxygen precipitation such that heat treatment not causing any slip dislocation can be carried out is designed, and thus a silicon wafer heat treatment method under the heat treatment condition not causing any slip dislocation is determined. A silicon wafer heat-treated under such a condition can be provided.
(FR)La présente invention consiste à produire une plaquette de silicium préférable à un dispositif semi-conducteur en déterminant les conditions de traitement thermique ne causant presque aucune dislocation par glissement et à traiter thermiquement la plaquette de silicium dans ces conditions. La résistance est calculée au moyen d'une formule de calcul utilisée pour prédire la résistance au glissement de la plaquette à partir de la densité, de la taille, et de la concentration résiduelle en oxygène en solution de solide de précipités d'oxydes dans la plaquette de silicium, l'état de précipités d'oxydes tel que le traitement thermique ne provoquant pas de dislocation par glissement peut être réalisé est conçu, ce qui permet de déterminer un procédé de traitement thermique pour plaquettes de silicium dans des conditions de traitement thermique ne provoquant pas de dislocation par glissement. L'invention concerne aussi une plaquette de silicium traitée thermiquement dans de telles conditions.
(JA) スリップ転位が発生し難い熱処理条件を決定し、その条件で熱処理して半導体デバイスとして好ましいシリコンウェーハを得ることができる。シリコンウェーハ中の酸素析出物の密度とサイズと残存固溶酸素濃度に基づいて、ウェーハのスリップ強度を予測する計算式を利用して強度を計算し、スリップ転位の発生が生じないように熱処理することが可能な酸素析出の状態を設計し、スリップ転位を発生させないような熱処理条件によるシリコンウェーハの熱処理方法を決定する。また、そのような条件で熱処理が施されるシリコンウェーハを提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)