WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008037816) CELLULES DE MÉMOIRE RÉSISTANTES À LA NBTI AVEC PORTES NAND
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/037816    N° de la demande internationale :    PCT/ES2006/000542
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 28.09.2006
CIB :
G11C 11/412 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, M/S SC4-202, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
ABELLA, Jaume [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
VERA, Xavier [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
UNSAL, Osman [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
GONZÁLEZ, Antonio [ES/ES]; (ES) (US Seulement)
Inventeurs : ABELLA, Jaume; (ES).
VERA, Xavier; (ES).
UNSAL, Osman; (ES).
GONZÁLEZ, Antonio; (ES)
Mandataire : CARPINTERO LOPEZ, Francisco; Alcalá 35, E-28014 Madrid (ES)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NBTI-RESISTANT MEMORY CELLS WITH NAND GATES
(ES) CÉLULAS DE MEMORIA RESISTENTES A LA NBTI CON COMPUERTAS NAND
(FR) CELLULES DE MÉMOIRE RÉSISTANTES À LA NBTI AVEC PORTES NAND
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an NBTI-resistant memory cell consisting of a ring containing multiple NAND gates. The NAND gates are disposed such that one of the gates has a 0 at the output thereof, while the rest of said gates have a 1 at the outputs thereof. The PMOS transistors inside the memory cell experience less degradation than in inverter-based memory cells. The guard band can be reduced in order to prevent transistor degradation, while the operating frequency of the memory cell can be increased.
(ES)Una célula de memoria resistente a la NBTI está compuesta por un anillo de múltiples compuertas NAND. Las compuertas NAND están dispuestas de tal manera que una de las compuertas NAND tiene un '0' en su salida, mientras que las restantes compuertas NAND tienen un '1' en sus salidas. Los transistores PMOS dentro de la célula de memoria experimentan menor degradación que en las células de memoria basadas en invertidores. Puede reducirse la banda de resguardo para la prevención de la degradación de transistores, o bien puede aumentarse la frecuencia operativa de la célula de memoria.
(FR)L'invention concerne une cellule de mémoire résistante à la NBTI, constituée par un anneau de multiples portes NAND. Les portes NAND sont disposées de façon que l'une de ces portes NAND présente un '0' en sortie, les autres portes NAND présentant un '1' en sortie. Les transistors PMOS à l'intérieur de la cellule de mémoire subissent une dégradation moins importante que dans les cellules de mémoire basées sur des inverseurs. L'invention permet de réduire la bande de garde en vue de prévenir la dégradation de transistors, ou d'augmenter la fréquence de fonctionnement de la cellule de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : espagnol (ES)
Langue de dépôt : espagnol (ES)