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1. WO2008030922 - DISPOSITIFS À NANOCOMPOSITE, PROCÉDÉS D'ÉLABORATION ET UTILISATIONS

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Numéro de publication WO/2008/030922
Date de publication 13.03.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/077705
Date du dépôt international 06.09.2007
CIB
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 21/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
H01L 51/0035
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
H01L 51/0036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
H01L 51/0038
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0038Poly-phenylenevinylene and derivatives
H01L 51/0042
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
004comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC, PTFE
0042poly N-vinylcarbazol and derivatives
H01L 51/426
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
4253comprising bulk hetero-junctions, e.g. interpenetrating networks
426comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
Déposants
  • THE RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK [US]/[US] (AllExceptUS)
Inventeurs
  • CHOUDHURY, Kaushik Roy
  • KIM, Won Jin
  • SAHOO, Yudhisthira
  • LEE, Kwang Sup
  • PRASAD, Paras, N.
  • CARTWRIGHT,, Alexander
  • THAPA, Ram, B.
Mandataires
  • JONES, Shelley, A.
Données relatives à la priorité
60/824,68606.09.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NANOCOMPOSITE DEVICES, METHODS OF MAKING THEM, AND USES THEREOF
(FR) DISPOSITIFS À NANOCOMPOSITE, PROCÉDÉS D'ÉLABORATION ET UTILISATIONS
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Abrégé
(EN)
The present invention relates to a nanocomposite device comprising a polymeric matrix, semiconducting nanoparticles, and a semiconducting molecule having a field-effect mobility of at least 0.1 cm2/Vs. In addition, the present invention relates to a method of making a nanocomposite device. The method includes providing a mixture comprising a polymer, semiconducting nanoparticles, and a semiconducting molecule having a field-effect mobility of at least 0.1 cm2/Vs or a soluble precursor thereof, depositing the mixture on a substrate, and treating the mixture under conditions effective to produce a nanocomposite device comprising the polymeric matrix, semiconducting nanoparticles, and the semiconducting molecule having a field-effect mobility of at least 0.1 cm2/Vs. Thin film devices including the nanocomposite device are also disclosed.
(FR)
Dispositif à nanocomposite comportant une matrice polymère, des nanoparticules semi-conductrices, et une molécule semi-conductrice ayant une mobilité d'effet de champ d'au moins 0,1 cm2/Vs. On décrit aussi un procédé d'élaboration de dispositif à nanocomposite, qui consiste à fournir un mélange comprenant un polymère, des nanoparticules semi-conductrices et une molécule semi-conductrice ayant une mobilité d'effet de champ d'au moins 0,1 cm2/Vs, ou un précurseur soluble correspondant, à déposer le mélange sur un substrat et à traiter le mélange dans des conditions efficaces pour produire un dispositif à nanocomposite renfermant la matrice polymère, des nanoparticules semi-conductrices et la molécule semi-conductrice ayant une mobilité d'effet de champ d'au moins 0,1 cm2/Vs. On décrit aussi des dispositifs en film qui renferment le dispositif considéré.
Également publié en tant que
US20080128021
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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