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1. WO2008026972 - AMPLIFICATEUR BIDIRECTIONNEL À MOINDRE COMMUTATION

Numéro de publication WO/2008/026972
Date de publication 06.03.2008
N° de la demande internationale PCT/SE2006/000990
Date du dépôt international 28.08.2006
CIB
H03F 3/62 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
62Amplificateurs bi-directionnels
CPC
H03F 1/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
H03F 2200/222
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
222A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
H03F 2200/387
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
H03F 2200/451
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
451the amplifier being a radio frequency amplifier
H03F 2203/7206
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2203Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
7206the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier
H03F 3/195
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
195in integrated circuits
Déposants
  • TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL) [SE]/[SE] (AllExceptUS)
  • BERG, Håkan [SE]/[SE] (UsOnly)
  • THIESIES, Heiko [SE]/[SE] (UsOnly)
Inventeurs
  • BERG, Håkan
  • THIESIES, Heiko
Mandataires
  • VALEA AB
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SWITCH-LESS BIDIRECTIONAL AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR BIDIRECTIONNEL À MOINDRE COMMUTATION
Abrégé
(EN)
A bi-directional amplifier, transceiver, integrated circuit, mobile unit, telecommunication infrastructure for amplification of signals received or signals to be transmitted in a communication circuit and a method for bi-directional amplification comprising amplifying signals in a bi-directional amplifier and directing a signal between two or more different paths comprising at least one first biased semiconductor amplification element (230, 340, 450, 550) connected to a at least one first impedance matching network (210, 310, 410, 510), at least one second biased semiconductor amplification element (240, 350, 460, 560) connected to a second impedance matching network (220, 330, 430, 530), a first device for biasing the at least one first biased semiconductor amplification element and a second device for biasing the at least one second biased semiconductor amplification element where the direction of signal amplification in said bi-directional amplifier is controlled by the first or second device for biasing the at least one first (230, 340, 450, 550) or second (240, 350, 460, 560) biased semiconductor amplification element.
(FR)
La présente invention concerne un amplificateur bidirectionnel, un émetteur, un circuit intégré, une unité mobile, une infrastructure de télécommunication pour l'amplification des signaux reçus ou des signaux à être transmis dans un circuit de communication et un procédé d'amplification bidirectionnelle comprenant des signaux d'amplification dans un amplificateur bidirectionnel et dirigeant un signal entre deux ou plusieurs chemins différents comprenant au moins : un premier élément d'amplification semi-conducteur polarisé (230, 340, 450, 550) connecté à au moins un premier réseau de correspondance d'impédance (210, 310, 410,510) ; un second élément d'amplification semi-conducteur polarisé (240, 350, 460, 560) connecté à un second réseau de correspondance d'impédance (220, 330, 4'0, 530) ; un premier et un second dispositifs destinés à polariser respectivement au moins le premier élément d'amplification semi-conducteur polarisé et le second élément d'amplification semi-conducteur polarisé où la direction de l'amplification du signal dans ledit amplificateur bidirectionnel est commandée par le premier ou le second dispositif destiné à polariser au moins le premier (230, 340, 450, 550) ou le second (240, 350, 460, 560) élément d'amplification semi-conducteur polarisé.
Également publié en tant que
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