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1. WO2008025208 - SUSPENSION ÉPAISSE DE POLISSAGE À ABRASIFS MÉLANGÉS POUR MATÉRIAU FAIBLEMENT DIÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2008/025208
Date de publication 06.03.2008
N° de la demande internationale PCT/CN2007/002101
Date du dépôt international 09.07.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 25.06.2008
CIB
C09G 1/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
GCOMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1Compositions de produits à polir
02contenant des abrasifs ou agents de polissage
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
H01L 21/3212
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
32115Planarisation
3212by chemical mechanical polishing [CMP]
Déposants
  • 安集微电子(上海)有限公司 ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD. [CN]/[CN] (AllExceptUS)
  • 陈国栋 CHEN, Jery, Guodong [CN]/[CN] (UsOnly)
  • 宋伟红 SONG, Peter, Weihong [CN]/[CN] (UsOnly)
  • 荆建芬 JING, Judy, Jianfen [CN]/[CN] (UsOnly)
  • 宋成兵 SONG, Ephant, Chengbing [CN]/[CN] (UsOnly)
  • 杨凯平 YANG, Megan, Kaiping [CN]/[CN] (UsOnly)
Inventeurs
  • 陈国栋 CHEN, Jery, Guodong
  • 宋伟红 SONG, Peter, Weihong
  • 荆建芬 JING, Judy, Jianfen
  • 宋成兵 SONG, Ephant, Chengbing
  • 杨凯平 YANG, Megan, Kaiping
Mandataires
  • 上海翰鸿律师事务所 HANHONG LAW FIRM
Données relatives à la priorité
200610030459.125.08.2006CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING SLURRY CONTAINING BLENDED ABRASIVES FOR LOW DIELECTRIC MATERIAL
(FR) SUSPENSION ÉPAISSE DE POLISSAGE À ABRASIFS MÉLANGÉS POUR MATÉRIAU FAIBLEMENT DIÉLECTRIQUE
(ZH) 一种含有混合磨料的低介电材料抛光液
Abrégé
(EN)
A polishing slurry containing blended abrasives for low dielectric material is disclosed, which includes two or more kinds of polishing abrasives, wherein, one of the abrasives is Al-doped silica, and the second abrasive is the one selected from silica, alumina, alumina -coated silica or zirconia-coated silica or their combinations. The present polishing slurry not only can effectively adjust the polishing speed of low dielectric carbon-doped silica (CDO) and silica, but also can prevent local and throughout corrosion during metal polishing, thus can improve the acceptability. Moreover, it is useful in integrate circuit which contains metal,metal barrier, carbon-doped silica and silica simultaneously.
(FR)
Suspension épaisse de polissage à abrasifs mélangés pour matériau faiblement diélectrique, comprenant deux ou plus de deux types d'abrasifs de polissage, l'un des abrasifs étant de la silice à dopage Al, et l'autre étant du groupe silice, alumine, silice revêtue d'alumine ou silice revêtue de zirconie ou leurs combinaisons. Ce produit permet non seulement d'ajuster efficacement la vitesse de polissage de silice dopée au carbone et de silice faiblement diélectrique, mais encore d'empêcher la corrosion locale et générale durant le polissage métallique, et donc d'améliorer l'acceptabilité. De plus, il est utile dans les circuits intégrés contenant du métal, une barrière métallique, de la silice dopée au carbone et de la silice simultanément.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international