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1. (WO2008024566) RÉDUCTION GLOBALE DE DÉFAUTS POUR DES FILMS DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVÉ PAR PLASMA (PECVD)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/024566    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/073360
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 12.07.2007
CIB :
H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
LAKSHMANAN, Annamalai [IN/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Vu Nt [US/US]; (US) (US Seulement).
PARK, Sohyun [KR/US]; (US) (US Seulement).
BALASUBRAMANIAN, Ganesh [IN/US]; (US) (US Seulement).
REITER, Steven [US/US]; (US) (US Seulement).
KIYOHARA, Tsutomu [JP/US]; (US) (US Seulement).
SCHMITT, Francimar [US/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Bok Hoen [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LAKSHMANAN, Annamalai; (US).
NGUYEN, Vu Nt; (US).
PARK, Sohyun; (US).
BALASUBRAMANIAN, Ganesh; (US).
REITER, Steven; (US).
KIYOHARA, Tsutomu; (US).
SCHMITT, Francimar; (US).
KIM, Bok Hoen; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
11/508,545 23.08.2006 US
Titre (EN) OVERALL DEFECT REDUCTION FOR PECVD FILMS
(FR) RÉDUCTION GLOBALE DE DÉFAUTS POUR DES FILMS DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVÉ PAR PLASMA (PECVD)
Abrégé : front page image
(EN)The present invention generally provides an apparatus and method for reducing defects on films deposited on semiconductor substrates. One embodiment of the present invention provides a method for depositing a film on a substrate. The method comprises treating the substrate with a first plasma configured to reduce pre-existing defects on the substrate, and depositing a film comprising silicon and carbon on the substrate by applying a second plasma generated from at least one precursor and at least one reactant gas.
(FR)La présente invention concerne d'une manière générale un appareil et un procédé servant à réduire des défauts sur des films déposés sur des substrats semiconducteurs. Un mode de réalisation de la présente invention propose un procédé pour déposer un film sur un substrat. Le procédé comprend le traitement du substrat avec un premier plasma configuré pour réduire des défauts préexistants sur le substrat, et le dépôt d'un film comprenant du silicium et du carbone sur le substrat par application d'un second plasma généré à partir d'au moins un précurseur et d'au moins un gaz réactif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)