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1. (WO2008024207) Procédé de formation d'un motif de matériau fonctionnel sur un substrat
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/024207    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/017670
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 08.08.2007
CIB :
B41M 3/00 (2006.01), B41F 17/00 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street, Wilmington, Delaware 19898 (US) (Tous Sauf US).
BLANCHET, Graciela, Beatriz [US/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Hee Hyun [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BLANCHET, Graciela, Beatriz; (US).
LEE, Hee Hyun; (US)
Mandataire : MAGEE, Thomas, H.; E. I. du Pont de Nemours and Company, Legal Patent Records Center, 4417 Lancaster Pike, Wilmington, Delaware 19805 (US)
Données relatives à la priorité :
11/508,806 23.08.2006 US
Titre (EN) METHOD TO FORM A PATTERN OF FUNCTIONAL MATERIAL ON A SUBSTRATE
(FR) Procédé de formation d'un motif de matériau fonctionnel sur un substrat
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a method to form a pattern of a functional material on a substrate for use in electronic devices and components. The method uses a stamp having a relief structure to transfer a mask material to a substrate and form a pattern of open area on the substrate. The functional material is applied to the substrate in at least the open area. The mask material is removed from the substrate, forming the pattern of functional material on the substrate. The method is suitable for the fabrication of microcircuitry for electronic devices and components.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un motif de matériau fonctionnel sur un substrat à utiliser dans des dispositifs et des composants électroniques. Le procédé utilise un poinçon comportant une structure en relief pour transférer un matériau de masque sur un substrat et former un motif de zone découverte sur le substrat. Le matériau fonctionnel est appliqué au substrat au moins sur la zone découverte. Le matériau de masque est retiré du substrat, laissant le motif de matériau fonctionnel sur le substrat. Le procédé est adapté à la fabrication de microcircuits pour des dispositifs et des composants électroniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)