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1. (WO2008024205) CONTACT AVANT COMPRENANT UN OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT À FONCTION DE TRAVAIL ÉLEVÉE DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/024205    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/017664
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 09.08.2007
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US/US]; 2300 Harmon Road, Auburn Hills, MI 48326-1714 (US) (Tous Sauf US).
KRASNOV, Alexey [CA/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KRASNOV, Alexey; (US)
Mandataire : RHOA, Joseph, A.; Nixon & Vanderhye P.C., 901 North Glebe Road, 11th Floor, Arlington, VA 22203-1808 (US)
Données relatives à la priorité :
11/507,660 22.08.2006 US
Titre (EN) FRONT CONTACT WITH HIGH WORK-FUNCTION TCO FOR USE IN PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) CONTACT AVANT COMPRENANT UN OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT À FONCTION DE TRAVAIL ÉLEVÉE DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS UN DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to a front contact for use in an electronic device such as a photovoltaic device. In certain example embodiments, the front contact of the photovoltaic device includes a low work-function transparent conductive oxide (TCO) of a material such as tin oxide, zinc oxide, or the like, and a thin high work-function TCO of a material such as oxygen-rich ITO (indium tin oxide) or the like. The high-work function TCO is located between the low work-function TCO and the uppermost semiconductor layer of the photovoltaic device so as to provide for substantial work-function matching between the low work-function TCO and the high work-function uppermost semiconductor layer of the device in order to reduce a potential barrier for holes extracted from the device by the front contact.
(FR)L'invention concerne un contact avant destiné à être utilisé dans un dispositif électronique, tel qu'un dispositif photovoltaïque. Dans certains modes de réalisation, le contact avant du dispositif photovoltaïque comprend un oxyde conducteur transparent (TCO) à fonction de travail faible, fabriqué dans un matériau tel que l'oxyde d'étain, l'oxyde de zinc ou analogue, et un oxyde conducteur transparent (TCO) à fonction de travail élevée, fabriqué dans un matériau tel que l'oxyde d'étain indium riche en oxygène ou analogue. Le TCO à fonction de travail élevée est situé entre le TCO à fonction de travail faible et la couche semi-conductrice supérieure du dispositif photovoltaïque, de manière à fournir une fonction de travail substantielle correspondante entre le TCO à fonction de travail faible et la couche semi-conductrice supérieure à fonction de travail élevée du dispositif, de manière à réduire une barrière de potentiel pour des trous extraits du dispositif par le contact avant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)