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1. (WO2008023774) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/023774    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/066389
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 23.08.2007
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
SHAKUDA, Yukio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHAKUDA, Yukio; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-227621 24.08.2006 JP
2007-135604 22.05.2007 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a nitride semiconductor which enables to improve the crystallinity and surface state of a nitride semiconductor crystal formed on a high-temperature AlN buffer layer. Specifically disclosed is a method for producing a nitride semiconductor wherein an AlN buffer layer is formed on a substrate for growth and a nitride semiconductor crystal is grown thereon. In this production method, the AlN buffer layer is crystal-grown at a high temperature not less than 900˚C, while continuously supplying an Al raw material gas for the AlN buffer layer into a reaction chamber in advance and then intermittently supplying an N raw material gas thereinto.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de production d'un semi-conducteur de nitrure qui permet d'améliorer la cristallinité et l'état de surface d'un cristal à semi-conducteur de nitrure formé sur une couche tampon AlN à température élevée. La présente invention a tout particulièrement trait à un procédé de production d'un semi-conducteur de nitrure dans lequel une couche tampon AlN est formée sur un substrat pour croissance et un cristal à semi-conducteur de nitrure est créé sur celle-ci. Dans ce procédé de production, la couche tampon AlN est créée à partir de cristal à une température élevée non inférieure à 900 °C, tout en fournissant au préalable de façon continue un gaz de matière première Al pour la couche tampon AlN dans une chambre de réaction puis en fournissant par intermittence un gaz de matière première N dans celle-ci.
(JA) 高温AlNバッファ層上に形成される窒化物半導体結晶の結晶性及び表面状態を改善することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。  成長用基板上にAlNバッファ層を積層し、その上に窒化物半導体結晶を結晶成長させる窒化物半導体の製造工程において、AlNバッファ層を結晶成長させる場合、900°C以上の高温で成長させるとともに、AlNバッファ層のAl原料ガスを先に反応室に供給して連続的に流しておき、その後、N原料ガスを間欠的に供給する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)