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1. (WO2008023748) PROCÉDÉ POUR FORMATION D'UN FILM D'OXYDE ET APPAREIL POUR LE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/023748    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/066312
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 22.08.2007
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : MEIDENSHA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
NISHIGUCHI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMEDA, Naoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITOU, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NONAKA, Hidehiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ICHIMURA, Shingo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHIGUCHI, Tetsuya; (JP).
KAMEDA, Naoto; (JP).
SAITOU, Shigeru; (JP).
NONAKA, Hidehiko; (JP).
ICHIMURA, Shingo; (JP)
Mandataire : HASHIMOTO, Takeshi; c/o Shiga Patent Office Ekisaikai Bldg. 1-29, Akashi-cho Chuo-ku, Tokyo 1040044 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-229727 25.08.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR OXIDE FILM FORMATION AND APPARATUS FOR THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMATION D'UN FILM D'OXYDE ET APPAREIL POUR LE PROCÉDÉ
(JA) 酸化膜形成方法とその装置
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides an apparatus (1) for oxide film formation. In the apparatus (1), light in an ultraviolet light range is applied to a substrate (7), and, at the same time, a starting gas (G1) of an organosilicon and an ozone gas (G2) are fed to the substrate (7) to form an oxide film on the surface of the substrate (7). The substrate (7) is housed in a treatment furnace (2). A pipe (3) functions to mix the starting gas (G1) and the ozone gas (G2) together at room temperature to prepare a mixture which is then fed into the substrate (7) in the treatment furnace (2). A light source (5) emits and applies light having a wavelength longer than 210 nm in an ultraviolet range to the substrate (7). The amount of the ozone gas (G2) mixed in the starting gas (G1) fed into the pipe (3) is set to a value which is at least a chemical equivalent or more necessary for totally oxidizing the starting gas (G1). According to the apparatus (1) for oxide film formation, the utilization efficiency of the starting gas is enhanced, and, at the same time, an oxide film having excellent electric characteristics can be formed by a film formation process at 200°C or below.
(FR)L'invention propose un appareil (1) permettant de former un film d'oxyde. Dans l'appareil (1), de la lumière dans la plage de lumière ultraviolette est appliquée à un substrat (7), et, en même temps, un gaz d'allumage (G1) d'un organosilicium et d'ozone gazeux (G2) sont adressés au substrat (7) pour former un film d'oxyde sur la surface du substrat (7). Le substrat (7) est reçu dans une chambre de combustion (2) de traitement. Un tuyau (3) permet de mélange le gaz d'allumage (G1) et l'ozone gazeux (G2) à température ambiante pour préparer un mélange qui est ensuite adressé dans le substrat (7) situé dans la chambre de combustion (2) de traitement. Une source de lumière (5) émet et applique une lumière dont la longueur d'onde est supérieure à 210 nm dans la plage ultraviolette vers le substrat (7). La quantité d'ozone gazeux (G2) mélangé au gaz d'allumage (G1) envoyé dans le tuyau (3) est fixée à une valeur d'au moins un équivalent chimique ou plus, nécessaire pour oxyder totalement le gaz d'allumage (G1). L'appareil (1) proposé pour former un film d'oxyde permet d'améliorer le rendement d'utilisation du gaz d'allumage et, en même temps, de former un film d'oxyde présentant d'excellentes caractéristiques électriques par un procédé de formation de film à 200°C ou moins.
(JA) 酸化膜形成装置1は基板7に紫外光領域の光を照射すると共に基板7に有機シリコンからなる原料ガスG1とオゾンガスG2とを供して基板7の表面に酸化膜を形成させる。処理炉2には基板7が格納される。配管3は室温のもとで原料ガスG1とオゾンガスG2とを混合させて処理炉2内の基板7に供する。光源5は紫外光領域の光として210nmより長波長の光を基板7に照射する。配管3に供される原料ガスG1に対するオゾンガスG2の混合量は少なくとも原料ガスG1を完全に酸化するのに必要な化学当量以上となるように設定される。酸化膜形成装置1によれば原料ガスの利用効率が高まると共に200°C以下の製膜プロセスで電気特性に優れた酸化膜を形成できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)