WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008023746) ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, LIQUIDE POUR FORMER UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET LIQUIDE POUR FORMER UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LE PROCÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/023746    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/066310
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 22.08.2007
CIB :
H01L 23/29 (2006.01), C09K 11/73 (2006.01), C09K 11/80 (2006.01), G01N 19/04 (2006.01), G01N 25/20 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (Tous Sauf US).
KATO, Hanako [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORI, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMURA, Tsubasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KATO, Hanako; (JP).
MORI, Yutaka; (JP).
KOBAYASHI, Hiroshi; (JP).
TOMURA, Tsubasa; (JP)
Mandataire : SANADA, Tamotsu; Kichijoji-Mark Bldg. 5th Floor, 10-31, Kichijoji-honcho 1-chome, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-225410 22.08.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MEMBER, LIQUID FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE MEMBER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE MEMBER, AND LIQUID FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE MEMBER USING THE METHOD, PHOSPHOR COMPOSITION, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, ILLUMINATING APPARATUS AND IMAGE DISPLAY APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, LIQUIDE POUR FORMER UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET LIQUIDE POUR FORMER UN ÉLÉMENT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LE PROCÉ
(JA) 半導体デバイス用部材、並びに半導体デバイス用部材形成液及び半導体デバイス用部材の製造方法、並びに、それを用いた半導体デバイス用部材形成液、蛍光体組成物、半導体発光デバイス、照明装置、及び画像表示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device member which has excellent heat resistance, light resistance, film forming characteristics and adhesiveness, and seals a semiconductor device without causing cracks, peeling and coloring and holds phosphor even when used for a long period of time. The semiconductor device member has a heating weight reduction of 50wt% or less, which is measured by a prescribed heating weight reduction measuring method, and a peeling rate of 30% or less, which is measured by a prescribed adhesiveness evaluation method.
(FR)L'invention concerne un élément de dispositif semi-conducteur doté d'une excellente résistance à la chaleur, d'une excellente résistance à la lumière et d'excellentes caractéristiques de formation de film et d'adhérence ; ledit élément scelle un dispositif semi-conducteur de manière étanche sans provoquer de craquelures, de pelage et de coloration et conserve le phosphore même lorsqu'il est utilisé pendant une longue période de temps. Au chauffage, l'élément de dispositif semi-conducteur subit une réduction de poids de 50 % ou moins, mesurée par un procédé de mesure de réduction de poids lors du chauffage, et un taux de pelage de 30 % ou moins, mesuré par un procédé d'évaluation d'adhérence prescrit.
(JA)耐熱性、耐光性、成膜性、密着性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離、着色を生じることなく半導体デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる半導体デバイス用部材を提供する。このために、半導体デバイス用部材について、所定の加熱重量減測定方法により測定された加熱重量減を50重量%以下とし、且つ、所定の密着性評価方法により測定された剥離率を30%以下とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)