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1. (WO2008023700) PROCÉDÉ DE GRAVURE, DISPOSITIF DE GRAVURE, PROGRAMME INFORMATIQUE, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/023700    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/066189
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 21.08.2007
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
NISHIZUKA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHIZUKA, Tetsuya; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-228989 25.08.2006 JP
Titre (EN) ETCHING METHOD, ETCHING DEVICE, COMPUTER PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE, DISPOSITIF DE GRAVURE, PROGRAMME INFORMATIQUE, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) エッチング方法、エッチング装置、コンピュータプログラム及び記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)An etching method for etching an etching object film having a dielectric constant smaller than that of the SiO2 film formed on the object (S) to be processed. The method comprises a step of mounting the object (S) on a susceptor (16) in an evacuatable processing vessel (12), a step of supplying a predetermined etching gas into the processing vessel (12) and converting the etching gas into plasma, and a step of applying high-frequency power of a predetermined frequency as bias power to the susceptor (16) in the presence of the etching gas plasma. The step of applying the high-frequency power as bias power includes a first sub-step of applying high-frequency power of a first frequency as bias power and a second sub-step of applying high-frequency power of a second frequency different from the first one as a bias power.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure d'un film objet d'une gravure possédant une constante diélectrique inférieure à celle du film SiO2 formé sur l'objet (S) à traiter. Le procédé comprend une phase consistant à monter l'objet (S) sur un suscepteur (16) dans une cuve de traitement pouvant être vidée (12), une phase consistant à injecter un gaz de gravure prédéterminé dans la cuve de traitement (12) et à convertir le gaz de gravure en plasma, et une phase consistant à appliquer une puissance haute fréquence de fréquence prédéterminée comme puissance de polarisation au suscepteur (16) en présence de plasma de gaz de gravure. La phase consistant à appliquer la puissance haute fréquence comme puissance de polarisation comprend une première phase auxiliaire consistant à appliquer une puissance haute fréquence d'une première fréquence comme puissance de polarisation et une seconde phase auxiliaire consistant à appliquer une puissance haute fréquence d'une seconde fréquence différente de la première comme puissance de polarisation.
(JA) 被処理体Sの表面に形成されたSiO膜よりも誘電率が小さいエッチング対象膜に対してエッチング処理を施すエッチング方法である。当該エッチング方法は、真空排気可能になされた処理容器12内の載置台16上に被処理体Sを載置する工程と、前記処理容器12内に所定のエッチングガスを供給しつつ、当該エッチングガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化されたエッチングガスの存在下にて前記載置台16に所定の周波数の高周波電力をバイアス電力として印加する工程と、を備えている。前記高周波電力をバイアス電力として印加する工程は、前記バイアス電力として第1の周波数の高周波電力を印加する第1の工程と、前記バイアス電力として前記第1の周波数とは異なる第2の周波数の高周波電力を印加する第2の工程と、を有している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)