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1. (WO2008023669) Nanomatériau carboné semi-conducteur du type n, son procédé de production et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/023669    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/066131
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 20.08.2007
CIB :
C01B 31/02 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
ASANO, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ASANO, Koji; (JP)
Mandataire : HATTORI, Kiyoshi; HATTORI PATENT OFFICE Hachioji Azumacho Center Building 9-8, Azuma-cho, Hachioji-shi Tokyo 1920082 (JP)
Données relatives à la priorité :
PCT/JP2006/316307 21.08.2006 JP
Titre (EN) n-TYPE SEMICONDUCTOR CARBON NANOMATERIAL, METHOD FOR PRODUCING n-TYPE SEMICONDUCTOR CARBON NANOMATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) Nanomatériau carboné semi-conducteur du type n, son procédé de production et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
(JA) n型半導体カーボンナノ材料、n型半導体カーボンナノ材料の製造方法および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An n-type semiconductor carbon nanomaterial is produced. Specifically, a substance having a functional group such as an amino group or an alkyl group is mixed with an inert gas, and the mixture is reacted with a semiconductive carbon nanomaterial (1a) while being irradiated with VUV, thereby covalently bonding the amino group, the alkyl group or the like to the carbon nanomaterial (1a). The covalently bonded amino group, alkyl group or the like is an electron-donating group, and thus it forms the carbon nanomaterial (1a) into an n-type one. Since the electron-donating group is covalently bonded, there can be obtained a stable n-type semiconductor carbon nanomaterial (1) which is hardly converted into a p-type one. In addition, since the n-type semiconductor carbon nanomaterial (1) is produced by a dry process, bundling or inclusion of impurities can be suppressed. Consequently, there can be produced a uniform n-type semiconductor carbon nanomaterial (1) having high reliability and stability.
(FR)La présente invention concerne un nanomatériau carboné semi-conducteur de type n. En particulier, une substance comportant un groupe fonctionnel tel qu'un groupement amine ou un groupe alkyle est mélangée à un gaz inerte, et le mélange est mis à réagir avec un nanomatériau carboné semi-conducteur (1a) tout en étant irradié avec des VUV, liant ainsi de manière covalente le groupement amine, le groupe alkyle ou analogue audit nanomatériau (1a). Le groupement amine, le groupe alkyle ou analogue lié de manière covalente est un groupe donneur d'électrons, et ainsi il forme ledit nanomatériau (1a) en nanomatériau de type n. Étant donné que le groupe donneur d'électrons est lié de manière covalente, on peut obtenir un nanomatériau carboné semi-conducteur de type n (1) stable qui est difficilement converti en nanomatériau de type p. En outre, étant donné que ledit nanomatériau (1) est produit par un procédé à sec, l'assemblage ou l'inclusion d'impuretés peut être supprimé. En conséquence, on peut proposer un nanomatériau carboné semi-conducteur du type n (1) uniforme présentant une fiabilité et une stabilité élevées.
(JA) n型半導体カーボンナノ材料を作製する。  アミノ基やアルキル基等の官能基を有する物質を不活性ガスと混合し、VUVを照射しながら、半導体性のカーボンナノ材料(1a)と反応させ、そのカーボンナノ材料(1a)にアミノ基やアルキル基等を共有結合させる。共有結合したアミノ基やアルキル基等は電子供与性基であり、カーボンナノ材料(1a)をn型にする。電子供与性基が共有結合するため、p型への変化が起きにくい安定なn型半導体カーボンナノ材料(1)が得られる。また、ドライプロセスであるため、バンドル化や不純物の混入を抑えることができる。これにより、均質で信頼性・安定性の高いn型半導体カーボンナノ材料(1)が作製される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)