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1. (WO2008023660) PROCÉDÉ DE CONCEPTION D'UN MODÈLE DE MASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/023660    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/066108
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 20.08.2007
CIB :
G03F 1/36 (2012.01), G03F 1/68 (2012.01), G03F 1/70 (2012.01), G06F 17/50 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
NOSATO, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUNAWA, Tetsuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Eiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKANASHI, Hidenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIGUCHI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NOSATO, Hirokazu; (JP).
MATSUNAWA, Tetsuaki; (JP).
TAKAHASHI, Eiichi; (JP).
SAKANASHI, Hidenori; (JP).
HIGUCHI, Tetsuya; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-229900 25.08.2006 JP
Titre (EN) MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
(FR) PROCÉDÉ DE CONCEPTION D'UN MODÈLE DE MASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT CE DERNIER
(JA) マスクパターン設計方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A time required for optical proximity correction (OPC) processing in mask pattern designing is reduced. A mask pattern is formed by laying out cells to which the OPC processing has been previously performed, then, at the time of finely adjusting a correction quantity for the OPC, for each cell, calculation for the fine adjustment is performed only for a region where an adjustable region of the cell itself and surrounding regions of other cells adjacent to the adjustable region overlap each other. Thus, a range of performing the fine adjustment of an OPC pattern (an area of a region for which the calculation is required) can be reduced. Since the mask pattern can be efficiently designed, processing time and processing cost required for the mask pattern designing can be remarkably reduced.
(FR)Dans la présente invention, le temps requis pour un traitement de correction de proximité optique (CPO) dans le cadre de la conception d'un modèle de masque est réduit. Un modèle de masque est formé en déposant des couches de cellules ayant subi un traitement CPO préalable, puis, au moment d'ajuster finement une quantité de correction pour le CPO, pour chaque cellule, on effectue le calcul pour l'ajustement fin destiné uniquement à une région dans laquelle une région ajustable de la cellule elle-même et des parties voisines d'autres cellules adjacentes à la région ajustable se chevauchent les unes les autres. De cette manière, on peut réduire un intervalle de réalisation de l'ajustement fin d'un modèle CPO (une zone d'une région pour laquelle le calcul est nécessaire). Étant donné que le modèle de masque peut être conçu de manière efficace, le temps et le coût de traitement nécessaires à la conception du modèle de masque peuvent être remarquablement réduits.
(JA) マスクパターン設計時の光近接補正(OPC)処理に要する時間を削減する。  予めOPC処理が施されたセルcellをレイアウトしてマスクパターンを形成した後、上記OPCの補正量を微調整する際に、各セルcellにおいて、自らのアジャスタブル領域と、それに隣接する他のセルcellのサラウンディング領域とが重なる領域についてだけ、その微調整のための計算をする。これにより、OPC図形を微調整するための範囲(計算を必要とする領域の面積)を小さくすることができる。このため、マスクパターンの設計を効率的に行うことができるので、マスクパターンの設計のための処理時間および処理コストを大幅に削減できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)