WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008023482) conducteur électrique transparent à base d'oxyde de zinc, cible de pulvérisation cathodique pour former le conducteur et processus de fabrication de la cible
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/023482    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/060487
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 23.05.2007
CIB :
H01B 1/08 (2006.01), C04B 35/453 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01)
Déposants : Nippon Mining & Metals Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (Tous Sauf US).
IKISAWA, Masakatsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAHAGI, Masataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IKISAWA, Masakatsu; (JP).
YAHAGI, Masataka; (JP)
Mandataire : OGOSHI, Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 3-1-10 Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-227720 24.08.2006 JP
2007-020338 31.01.2007 JP
Titre (EN) ZINC OXIDE BASED TRANSPARENT ELECTRIC CONDUCTOR, SPUTTERING TARGET FOR FORMING OF THE CONDUCTOR AND PROCESS FOR PRODUCING THE TARGET
(FR) conducteur électrique transparent à base d'oxyde de zinc, cible de pulvérisation cathodique pour former le conducteur et processus de fabrication de la cible
(JA) 酸化亜鉛系透明導電体及び同透明導電体形成用スパッタリングターゲット並びに同ターゲットの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A zinc oxide based transparent electric conductor composed mainly of zinc oxide (ZnO) and containing an element being an n-type dopant for the zinc oxide, characterized in that a metal whose parameter P indicating a wetting characteristic with zinc oxide (P=(G+Hmix)/RT, wherein G is the Gibbs free energy of the metal at temperature T; Hmix is the mixing enthalpy of zinc oxide and metal at temperature T; R is gas constant, and T is temperature) is 6 or below, the metal exhibiting a resistivity lower than that of the zinc oxide loaded with the n-type dopant, is contained in an amount of 0.05 to 2.0 atom.% based on all the metal atoms. In the development of transparent electric conductor not having raw material indium (In) that is expensive and feared for resource depletion, crossing the bounds of the conventional development technique according to single doping method, it is intended to indicate the preference guideline for secondary additive material effective for conversion to low resistivity and further the particular type of material and the range of appropriate concentration and to accordingly provide a transparent electric conductor with low resistivity.
(FR)L'invention concerne un conducteur électrique transparent à base d'oxyde de zinc composé principalement d'oxyde de zinc (ZnO) et contenant un élément étant un dopant de type n pour l'oxyde de zinc, caractérisé en ce qu'un métal dont le paramètre P indiquant une caractéristique d'humectage avec l'oxyde de zinc (P=(G+Hmix)/RT, G étant l'énergie libre de Gibbs du métal à la température T; Hmix étant l'enthalpie de mélange de l'oxyde de zinc et du métal à la température T; R étant une constante de gaz, et T étant la température) est inférieur ou égal à 6, le métal présentant une résistivité inférieure à celle de l'oxyde de zinc chargé avec le dopant de type n, est contenu dans une quantité de 0,05 à 2,0 % atomique sur la base de tous les atomes de métal. Pour le développement d'un conducteur électrique transparent ne présentant pas d'indium (In) comme matière première, cette matière étant onéreuse et provenant de ressources qui s'appauvrissent, et allant au-delà des limites de la technique de développement conventionnelle selon un procédé de dopage unique, il est prévu d'indiquer les préférences relatives à un matériau additif secondaire efficace pour une conversion permettant d'obtenir une faible résistivité ainsi que le type particulier de matériau et la plage de concentration appropriée. L'invention permet d'obtenir un conducteur électrique transparent de faible résistivité.
(JA) 酸化亜鉛(ZnO)を主成分とし、酸化亜鉛に対してn型ドーパントとなる元素を含有するとともに、酸化亜鉛との濡れ性を示すパラメータであるP (P=(G+Hmix)/RT、G:金属の温度Tでのギブスの自由エネルギー、Hmix:酸化亜鉛と金属との温度Tでの混合エンタルピー、R:気体定数、T:温度) が6以下である金属であって、その抵抗率がn型ドーパントを添加した酸化亜鉛の抵抗率よりも小さい金属が、全金属原子に対して、0.05~2.0原子%含有することを特徴とする酸化亜鉛系透明導電体を提供する。  高価で資源枯渇の懸念のある原料Inを有しない透明導電体の開発において、単一ドーピング法という従来の開発手法の限界を超え、低抵抗率化に効果的な第2添加材料の選択指針および具体的な材料の種類と適切濃度範囲を示して、低抵抗率透明導電体提供することを目的とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)