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1. (WO2008023265) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE AMÉLIORÉE ET PRODUCTION EN DÉCOULANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/023265    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/002776
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 21.08.2007
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : BP SOLAR ESPANA, S.A. UNIPERSONAL [ES/ES]; Pol.lnd.Tres Cantos, s/n Zona Oeste, Tres Cantos, E-28760 Madrid (ES) (Tous Sauf US).
FERNANDEZ, Juan, Manuel [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
BUENO, Rafael [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
MORILLA, Carmen [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
VINCUERA, INES [ES/ES]; (ES) (US Seulement)
Inventeurs : FERNANDEZ, Juan, Manuel; (ES).
BUENO, Rafael; (ES).
MORILLA, Carmen; (ES).
VINCUERA, INES; (ES)
Mandataire : HAMER, CHRISTOPHER, KLATT; Mathys & Squire LLP, 120 Holborn, London EC1N 2SQ (GB)
Données relatives à la priorité :
06380233.4 22.08.2006 EP
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC CELL AND PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE AMÉLIORÉE ET PRODUCTION EN DÉCOULANT
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a photovoltaic device having a substrate comprising silicon doped with a first dopant, the process comprising the steps of: a. forming a first layer over a front surface of the substrate, the first layer comprising a second dopant of a conductivity type opposite the first dopant; b. forming a second surface coating over the first layer; c. forming elongate grooves reaching or entering the silicon substrate, d. forming a third layer within the grooves, the layer comprising a third dopant of a conductivity type opposite to the first dopant; e. forming a contact finger system which intersects with the grooves to provide an electrically conducting front contact; and f. forming a second contact.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de périphérique photovoltaïque ayant un substrat comprenant du silicium dopé par un premier dopant,le procédé se composant des étapes suivantes : a. la formation d'une première couche sur une surface frontale du substrat, cette couche comprenant un second dopant de type de conductivité opposé au premier dopant ; b. la formation d'une seconde surface recouvrant la première couche ; c. la formation de rainures allongées atteignant ou entrant dans le substrat de silicium ; d. la formation d'une troisième couche dans les rainures, la couche comprenant un troisième dopant de type de conductivité opposé au premier dopant ; e. la formation d'un système digital de contact qui fait intersection avec les rainures pour fournir un contact frontal électriquement conducteur et f. la formation d'un second contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)