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1. (WO2008022488) DIODE SCHOTTKY POUR CIRCUIT INTÉGRÉ SUBMICRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/022488    N° de la demande internationale :    PCT/CN2006/002104
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 18.08.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.03.2008    
CIB :
H01L 29/872 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : HE JIAN TECHNOLOGY (SUZHOU) CO., LTD. [CN/CN]; N? 333, Xing Hua Street S uzhou Industrial Park S uzhou 215123 (CN) (Tous Sauf US).
LEE, Jia-Sheng [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LI, Zhaobing [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
SHI, Xiaodong [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CHEN, Bin [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Jia-Sheng; (CN).
LI, Zhaobing; (CN).
SHI, Xiaodong; (CN).
CHEN, Bin; (CN)
Mandataire : LIAN & LIEN IP ATTORNEYS; Suite 901, Tower A, Huaxin Building No. 33 Anding Road Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SCHOTTKY DIODE FOR SUB-MICRO IC AND METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) DIODE SCHOTTKY POUR CIRCUIT INTÉGRÉ SUBMICRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种应用于亚微米集成电路的肖特基二极管及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)A Schottky diode for sub-micro IC and method of making the same are provided. The Schottky diode comprises a substrate, a semiconductor layer (17), a metal-oxide-semiconductor gate dielectric layer (11), a barrier layer (31), a metal-oxide-semiconductor gate (14), and a wiring interconnection (51), wherein the gate dielectric layer (11), the barrier layer (31) and the wiring interconnection (51) are sequentialy laminated on the substrate. The barrier layer (31) is positioned between the gate dielectric layer (11) and the wiring interconnection (51). The wiring interconnection (51) directly contact the semiconductor layer (17), and there is no barrier layer (31) exiting between them. The Schottky diode and the method of making same same can meet the requirements of metal-oxide-semiconductor process and be suitable for integrated production of sub-micro IC also.
(FR)L'invention concerne une diode Schottky pour circuit intégré submicronique et un procédé de fabrication d'une telle diode. La diode Schottky comprend un substrat, une couche à semi-conducteur (17), une couche diélectrique de grille à semi-conducteur à oxyde métallique (11), une couche barrière (31), une grille à semi-conducteur à oxyde métallique (14), et une interconnexion de câblage (51), diode caractérisée en ce que la couche diélectrique de grille (11), la couche barrière (31) et l'interconnexion de câblage (51) sont laminées séquentiellement sur le substrat. La couche barrière (31) est positionnée entre la couche diélectrique de grille (11) et l'interconnexion de câblage (51). L'interconnexion de câblage (51) contacte directement la couche à semi-conducteur (17) et aucune couche barrière (31) n'existe entre elles. La diode Schottky et son procédé de fabrication satisfont aux exigences du procédé de semi-conducteur à oxyde métallique et conviennent en outre pour la production intégrée de circuits intégrés submicroniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)