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1. (WO2008022178) PROCÉDÉ DE SÉPARATION D'EFFETS OPTIQUES ET DE RÉSERVE DANS DES MODÈLES DE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/022178    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/075977
Date de publication : 21.02.2008 Date de dépôt international : 15.08.2007
CIB :
G03C 5/00 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
HAN, Geng [CN/US]; (US) (US Seulement).
MANSFIELD, Scott, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HAN, Geng; (US).
MANSFIELD, Scott, M.; (US)
Mandataire : LI, Todd, M.C.; IBM Corporation, 2070 Route 52, Bldg. 321/Zip 482, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
11/465,227 17.08.2006 US
Titre (EN) METHOD FOR SEPARATING OPTICAL AND RESIST EFFECTS IN PROCESS MODELS
(FR) PROCÉDÉ DE SÉPARATION D'EFFETS OPTIQUES ET DE RÉSERVE DANS DES MODÈLES DE PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)A methodology to improve the through-process model calibration accuracy of a semiconductor manufacturing process using lithographic methods by setting the correct defocus and image plane position in a patterning process model build. Separations of the optical model and the photoresist model are employed by separating out the adverse effects of the exposure tool from the effects of the photoresist. The exposure tool is adjusted to compensate for the errors. The methodology includes a determination of where the simulator best focus location is in comparison to the empirically derived best focus location.
(FR)La présente invention concerne une méthodologie pour améliorer la précision d'étalonnage de modèles de traitement intermédiaire d'un procédé de fabrication de semi-conducteurs utilisant des procédés lithographiques par réglage de la défocalisation correcte et la position de plan image dans une construction de modèle de procédé de modelage de contours. Des séparations du modèle optique et du modèle en photorésine sont utilisées en séparant les effets nuisibles de l'outil d'exposition des effets de la photorésine. L'outil d'exposition est ajusté pour compenser des erreurs. La méthodologie comprend une détermination de la meilleure localisation de point focal de simulateur par rapport à la meilleure localisation de point focal dérivée de manière empirique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)