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1. (WO2008022074) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS AVEC TRANCHÉES SCELLÉES NON ALIGNÉES ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/022074    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/075810
Date de publication : 21.02.2008 Date de dépôt international : 13.08.2007
CIB :
H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : ICEMOS TECHNOLOGY CORPORATION [US/US]; P.O. Box 24619, Tempe, AZ 85284 (US) (Tous Sauf US).
ANDERSON, Samuel [GB/US]; (US) (US Seulement).
SO, Koon, Chong [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ANDERSON, Samuel; (US).
SO, Koon, Chong; (US)
Mandataire : SIMMONS, John, D.; Akin Gump Strauss Hauer & Feld, LLP, One Commerce Square, Suite 2200, 2005 Market Street, Philadelphia, PA 19103 (US)
Données relatives à la priorité :
60/822,261 14.08.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SEALED, UNLINED TRENCHES AND METHODS OF FORMING SAME
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS AVEC TRANCHÉES SCELLÉES NON ALIGNÉES ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes unlined and sealed trenches and methods for forming the unlined and sealed trenches. More particularly, a superjunction semiconductor device includes unlined, and sealed trenches. The trench has sidewalls formed of the semiconductor material. The trench is sealed with a sealing material such that the trench is airtight. First and second regions are separated by the trench. The first region may include a superjunction Schottky diode or MOSFET. In an alternative embodiment, a plurality of regions are separated by a plurality of unlined and sealed trenches.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend des tranchées scellées et non alignées et des procédés pour les former. Plus spécialement, un dispositif à semi-conducteurs de super-jonction comprend des tranchées scellées et non alignées. La tranchée possède des parois latérales formées du matériau à semi-conducteurs. La tranchée est scellée avec un matériau de scellement, de manière à être imperméable. La première et la seconde région sont séparées par la tranchée. La première région peut inclure une diode Schottky de super-jonction ou un MOSFET. Dans un autre mode de réalisation, une pluralité de régions sont séparées par une pluralité de tranchées scellées et non alignées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)