WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008021646) RÉSEAU DE MÉMOIRE EEPROM AYANT DES CELLULES 5F2
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/021646    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/073657
Date de publication : 21.02.2008 Date de dépôt international : 17.07.2007
CIB :
H01L 29/788 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), G11C 11/34 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US).
LOJEK, Bohumil [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LOJEK, Bohumil; (US)
Mandataire : STEFFEY, Charles, E.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
11/464,670 15.08.2006 US
Titre (EN) EEPROM MEMORY ARRAY HAVING 5F2 CELLS
(FR) RÉSEAU DE MÉMOIRE EEPROM AYANT DES CELLULES 5F2
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile memory array (2 9) featuring cells (11) with split gate transistors and an overall area extent of 5F2, i.e. five times the minimum lithographic feature size squared. While smaller cells are known, the cells of the present invention each have a select device (21) and a floating gate transistor (25) with adjacent cells having shared source-drain lines (15, 17), all controlled by only four lines including two bit lines (31, 33), a word line (27), and a select gate line (39). The lines are extended beyond the boundary of the array where electrical contact is made for random access reading, programming and erasing, i.e., a contactless array.
(FR)L'invention concerne un réseau de mémoire non volatile (29) présentant des cellules (11) à transistors à grille scindée et une étendue de zone globale de 5F2, c'est-à-dire cinq fois la taille caractéristique lithographique minimale au carré. Les cellules plus petites étant connues, celles selon l'invention ont chacune un dispositif de sélection (21) et un transistor à grille flottante (25) à cellules contiguës ayant des lignes source-drain (15, 17), tous contrôlés par seulement quatre lignes comportant deux lignes de bits (31, 33), une ligne de mot (27), et une ligne de grille de sélection (39). Les lignes s'étendent au-delà de la limite du réseau où le contact électrique est destiné pour la lecture, la programmation et l'effacement d'accès aléatoire, c'est-à-dire un réseau sans contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)