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1. (WO2008021265) APPAREIL DE NETTOYAGE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/021265    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/017837
Date de publication : 21.02.2008 Date de dépôt international : 10.08.2007
CIB :
B08B 3/02 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; Legal Affairs Department - M/S 2061, P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
TANG, Jianshe [US/US]; (US) (US Seulement).
LU, Wei [--/US]; (US) (US Seulement).
XIE, Bo [CN/US]; (US) (US Seulement).
LI, Fred [--/US]; (US) (US Seulement).
KO, Alex [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TANG, Jianshe; (US).
LU, Wei; (US).
XIE, Bo; (US).
LI, Fred; (US).
KO, Alex; (US)
Mandataire : DE KLERK, Stephen, M.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 1279 Oakmead Parkway, Sunnyvale, CA 94805-4040 (US)
Données relatives à la priorité :
60/837,359 10.08.2006 US
11/891,339 09.08.2007 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CLEANING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE NETTOYAGE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor substrate (78) processing apparatus and a method for processing semiconductor substrates (78) are provided. The semiconductor substrate (78) processing apparatus may include a liquid container (62) where a semiconductor substrate (78) may be immersed in a semiconductor processing liquid (64). The semiconductor substrate may then be removed from the semiconductor processing liquid while vapor (76) is directed at a surface of the semiconductor substrate (78)where the semiconductor substrate contacts a surface of the processing liquid (64).
(FR)La présente invention concerne un appareil de traitement de substrats semi-conducteurs et un procédé de traitement de substrats semi-conducteurs. L'appareil de traitement de substrats semi-conducteurs peut comprendre un récipient de liquide dans lequel un substrat semi-conducteur peut être immergé dans un liquide de traitement de semi-conducteur. Le substrat semi-conducteur peut ensuite être retiré du liquide de traitement de semi-conducteur tandis que de la vapeur est dirigée à la surface du substrat semi-conducteur, le substrat semi-conducteur entrant en contact avec une surface du liquide de traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)