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1. (WO2008021204) CONCEPTION DE TERMINAISON POUR UN MOSFET À ÉLECTRODE DE SOURCE PROFONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/021204    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/017744
Date de publication : 21.02.2008 Date de dépôt international : 09.08.2007
CIB :
H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street, El Segundo, California 90245 (US) (Tous Sauf US).
CAO, Jianjun [US/US]; (US) (US Seulement).
HENSON, Timothy [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CAO, Jianjun; (US).
HENSON, Timothy; (US)
Mandataire : SALEHI, Kourosh; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP, 1180 Avenue of the Americas, New York, New York 10036 (US)
Données relatives à la priorité :
60/836,639 09.08.2006 US
11/890,849 08.08.2007 US
Titre (EN) TERMINATION DESIGN FOR DEEP SOURCE ELECTRODE MOSFET
(FR) CONCEPTION DE TERMINAISON POUR UN MOSFET À ÉLECTRODE DE SOURCE PROFONDE
Abrégé : front page image
(EN)A power semiconductor device that includes a plurality of source trenches that extend to a depth below the gate electrodes and a termination region that includes a termination trench that is as deep as the source trenches.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur de puissance qui comprend une pluralité de tranchées de source qui s'étendent à une profondeur passant sous les électrodes de gâchette et une zone de terminaison qui comprend une tranchée de terminaison dont la profondeur est égale à celle des tranchées de source.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)