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1. (WO2008020911) TRANSISTORS BIPOLAIRES À GRILLE ISOLÉE, HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/020911    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/014139
Date de publication : 21.02.2008 Date de dépôt international : 18.06.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.04.2008    
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, North Carolina 27703 (US) (Tous Sauf US).
ZHANG, Qingchun [CN/US]; (US) (US Seulement).
RYU, Sei-Hyung [KR/US]; (US) (US Seulement).
JONAS, Charlotte [US/US]; (US) (US Seulement).
AGARWAL, Anant K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Qingchun; (US).
RYU, Sei-Hyung; (US).
JONAS, Charlotte; (US).
AGARWAL, Anant K.; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428, Raleigh, North Carolina 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
60/838,249 17.08.2006 US
Titre (EN) HIGH POWER INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS BIPOLAIRES À GRILLE ISOLÉE, HAUTE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)An insulated gate bipolar transistor (IGBT) includes a substrate (12) having a first conductivity type, a drift layer (16) having a second conductivity type opposite the first conductivity type, and a well region (18) in the drift layer and having the first conductivity type. An epitaxial channel adjustment layer (40) is on the drift layer and has the second conductivity type. An emitter region (22) extends from a surface of the epitaxial channel adjustment layer through the epitaxial channel adjustment layer and into the well region. The emitter region has the second conductivity type and at least partially defines a channel region in the well region adjacent to the emitter region. A gate oxide layer (26) is on the channel region, and a gate (28) is on the gate oxide layer. Related methods are also disclosed.
(FR)L'invention concerne un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) qui comprend un substrat ayant un premier type de conductivité, une couche de dérive ayant un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, et une région de puits dans la couche de dérive et ayant le premier type de conductivité. Une couche d'ajustement de canal épitaxial est sur la couche de dérive et possède le second type de conductivité. Une région d'émetteur s'étend à partir de la surface de la couche d'ajustement de canal épitaxial à travers la couche d'ajustement de canal épitaxial et dans la région de puits. La région d'émetteur a le second type de conductivité et définit au moins partiellement une région de canal dans la région de puits à proximité de la région d'émetteur. Une couche d'oxyde de grille est sur la région de canal, et une grille est sur la couche d'oxyde de grille. Des procédés apparentés sont également divulgués.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)