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1. (WO2008019347) élément de stockage à semi-conducteurs et procédé
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/019347    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/075293
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 06.08.2007
CIB :
G11C 11/34 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : BENHOV GMBH, LLC [US/US]; 2711 Centerville Road, Suite 400, Wilmington, DE 19808 (US) (Tous Sauf US).
ELDREDGE, Kenneth, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
VAN AKEN, Stephen, P. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ELDREDGE, Kenneth, J.; (US).
VAN AKEN, Stephen, P.; (US)
Mandataire : MASCHOFF, Eric, L.; WORKMAN NYDEGGER, 1000 Eagle Gate Tower, 60 East South Temple, Salt Lake City, UT 84111 (US)
Données relatives à la priorité :
60/835,624 05.08.2006 US
60/843,117 09.09.2006 US
60/863,950 01.11.2006 US
60/886,926 27.01.2007 US
Titre (EN) SOLID STATE STORAGE ELEMENT AND METHOD
(FR) élément de stockage à semi-conducteurs et procédé
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for storing and retrieving data using flash memory devices (104) One example system includes an apparatus within a flash memory configuration The flash memory configuration includes a plurality of memory cells (118), where each memory cell has a charge storage capacity for use in implementing digital storage The apparatus includes a processing arrangement configured to access each of the memory cells (118) in a write operation and a read operation The apparatus also includes an instruction set for instructing the processor to impose target charge levels for defining a plurality of data values for each of the memory cells (118) The target charge levels are programmably movable with respect to the charge storage capacity.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système pour stocker et récupérer des données à l'aide de dispositifs de mémoire flash. Un système exemple comprend un appareil dans une configuration de mémoire flash. La configuration de mémoire flash comprend une pluralité de cellules de mémoire, où chaque cellule de mémoire a une capacité de stockage de charge pour une utilisation dans la mise en œuvre d'un stockage numérique. L'appareil comprend un agencement de traitement configuré pour accéder à chacune des cellules de mémoire dans une opération d'écriture et une opération de lecture. L'appareil comprend également un jeu d'instructions pour donner instruction au processeur d'imposer des niveaux de charge cibles pour définir une pluralité de valeurs de données pour chacune des cellules de mémoire. Les niveaux de charge cibles sont mobiles de manière programmable par rapport à la capacité de stockage de charge.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)