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1. (WO2008019282) AMÉLIORATION DES PERFORMANCES DIÉLECTRIQUES D'UNE GÂCHETTE SION CMOS PAR UNE DOUBLE NITRURATION À PLASMA CONTENANT UN GAZ NOBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/019282    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/075040
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 02.08.2007
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
OLSEN, Christopher [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : OLSEN, Christopher; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056-6582 (US)
Données relatives à la priorité :
60/821,472 04.08.2006 US
11/764,219 17.06.2007 US
Titre (EN) IMPROVING CMOS SION GATE DIELECTRIC PERFORMANCE WITH DOUBLE PLASMA NITRIDATION CONTAINING NOBLE GAS
(FR) AMÉLIORATION DES PERFORMANCES DIÉLECTRIQUES D'UNE GÂCHETTE SION CMOS PAR UNE DOUBLE NITRURATION À PLASMA CONTENANT UN GAZ NOBLE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a layer comprising silicon and nitrogen on a substrate is provided. The layer may also include oxygen and be used as a silicon oxynitride gate dielectric layer. In one aspect, forming the layer includes exposing a silicon substrate to a plasma of nitrogen and a noble gas to incorporate nitrogen into an upper surface of the substrate, wherein the noble gas is argon, neon, krypton, or xenon. The layer is annealed and then exposed to a plasma of nitrogen to incorporate more nitrogen into the layer. The layer is then further annealed.
(FR)La présente invention concerne un procédé servant à réaliser une couche comprenant du silicium et de l'azote sur un substrat. La couche peut aussi comprendre de l'oxygène et être utilisée comme une couche diélectrique de gâchette à l'oxynitrure de silicium. Dans un aspect, la constitution de la couche consiste à exposer un substrat de silicium à un plasma d'azote et d'un gaz noble pour incorporer l'azote dans une surface supérieure du substrat, le gaz noble étant l'argon, le néon, le krypton ou le xénon. La couche est recuite puis exposée à un plasma d'azote pour incorporer plus d'azote dans la couche. La couche est alors de nouveau recuite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)