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1. (WO2008019252) systèmes et méthodes pour distinguer les réflexions de faisceaux laser multiples pour l'étalonnage en vue de l'élaboration de la structure de semiconducteurs
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/019252    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/074773
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 30.07.2007
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01)
Déposants : ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC. [US/US]; 13900 NW Science Park Drive, Portland, Oregon 97229-5491 (US) (Tous Sauf US).
LO, Ho Wai [US/US]; (US) (US Seulement).
HEMENWAY, David Martin [US/US]; (US) (US Seulement).
NILSEN, Brady [US/US]; (US) (US Seulement).
BRULAND, Kelly J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LO, Ho Wai; (US).
HEMENWAY, David Martin; (US).
NILSEN, Brady; (US).
BRULAND, Kelly J.; (US)
Mandataire : PHILLIPS, Matthew P.; Stoel Rives, LLP, 900 SW Fifth Avenue, Suite 2600, Portland, Oregon 97204-1268 (US)
Données relatives à la priorité :
11/499,394 03.08.2006 US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR DISTINGUISHING REFLECTIONS OF MULTIPLE LASER BEAMS FOR CALIBRATION FOR SEMICONDUCTOR STRUCTURE PROCESSING
(FR) systèmes et méthodes pour distinguer les réflexions de faisceaux laser multiples pour l'étalonnage en vue de l'élaboration de la structure de semiconducteurs
Abrégé : front page image
(EN)A system (700A, 700B, 800) determines relative positions of a semiconductor substrate (240) and a plurality of laser beam spots on or within the semiconductor substrate (240) in a machine for selectively irradiating structures on or within the substrate using a plurality of laser beams. The system (700A, 700B, 800) comprises a laser source (220, 720), first and second laser beam propagation paths, first and second reflection sensors (798, 853), and a processor (680). The laser source (220, 720) produces at least the first and second laser beams, which propagate toward the substrate along the first and second propagation paths, respectively, which have respective first and second axes that intersects the substrate at respective first and second spots. The reflection sensors (798, 853) are positioned to detect reflection of the spots, as the spots moves relative to the substrate, thereby generating reflection signals. The processor (680) is configured to determine, based on the reflection signals, positions of the spots on or within the substrate (240).
(FR)L'invention concerne un système (700A, 700B, 800) qui détermine les positions relatives d'un substrat semiconducteur (240) et d'une pluralité de points issus de faisceaux laser sur ou dans le substrat semiconducteur (240) dans une machine irradiant sélectivement des structures sur ou dans le substrat à l'aide d'une pluralité de faisceaux laser. Le système (700A, 700B, 800) comprend une source laser (220, 720), un premier et un second canal de propagation de faisceaux laser, un premier et un second capteur de réflexion (798, 853), et un processeur (680). La source laser (220, 720) produit au moins le premier et le second faisceau laser, qui se propagent en direction du substrat selon le premier et le second canal de propagation, respectivement, qui ont respectivement un premier et un second axe qui recoupent le substrat respectivement à un premier et à un second point. Les capteurs de réflexion (798, 853) sont positionnés de façon à détecter la réflexion des points, lorsque les points se déplacent par rapport au substrat, engendrant par là même des signaux de réflexion. Le processeur (680) est configuré pour déterminer, en se basant sur les signaux de réflexion, les positions des points sur ou dans le substrat (240).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)