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1. (WO2008018994) DIÉLECTRIQUES DE GRILLE À BASE DE TITANATE DE BARYUM SUBSTITUÉ PAR LE ZIRCONIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/018994    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016801
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 25.07.2007
CIB :
G01L 21/28 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 29/92 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way, Boise, ID 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
AHN, Kie Y [US/US]; (US) (US Seulement).
FORBES, Leonard [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AHN, Kie Y; (US).
FORBES, Leonard; (US)
Mandataire : CLISE, Timothy, B.; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A., P. O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
11/498,559 03.08.2006 US
Titre (EN) ZIRCONIUM SUBSTITUTED BARIUM TITANATE GATE DIELECTRICS
(FR) DIÉLECTRIQUES DE GRILLE À BASE DE TITANATE DE BARYUM SUBSTITUÉ PAR LE ZIRCONIUM
Abrégé : front page image
(EN)The use of atomic layer deposition (ALD) to form a zirconium substituted layer of barium titanium oxide (BaTiO3), produces a reliable structure for use in a variety of electronic devices such as a dielectric in nonvolatile random access memories (NVRAM), tunable dielectrics for multi layer ceramic capacitors (MLCC), infrared sensors and electro-optic modulators. The structure is formed by depositing alternating layers of barium titanate and barium zirconate by ALD on a substrate surface using precursor chemicals, and repeating to form a sequentially deposited interleaved structure of desired thickness and composition. Such a layer may be used as the gate insulator of a MOSFET, or as a capacitor dielectric. The properties of the dielectric may be tuned by adjusting the percentage of zirconium to titanium to optimize properties such as a dielectric constant, Curie point, film polarization, ferroelectric property and a desired relaxor response.
(FR)Selon la présente invention, l'utilisation du dépôt de couche atomique (DCA) pour former une couche d'oxyde de titane de baryum substituée par le zirconium (BaTiO3), produit une structure fiable pour une utilisation dans une variété de dispositifs électroniques tels qu'un diélectrique dans des mémoires à accès sélectifs non-volatiles (NVRAM), des diélectriques réglables pour des condensateurs en céramique à plusieurs couches (MLCC), des détecteurs infrarouges et des modulateurs électro-optiques. La structure est formée par le dépôt alterné de couches de titanate de baryum et de zirconate de baryum par DCA sur une surface de substrat en utilisant des produits chimiques précurseurs et la répétition pour former une structure intercalée séquentiellement déposée d'épaisseur et de composition souhaitées. Une telle couche peut être utilisée en tant qu'isolant de grille d'un transistor MOSFET, ou en tant que diélectrique de condensateur. Les propriétés du diélectrique peuvent être régulées en ajustant le pourcentage de zirconium par rapport au titane pour optimiser les propriétés telles qu'une constante diélectrique, un point de curie, une polarisation de film, une propriété ferroélectrique et une réponse de relaxation souhaitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)