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1. (WO2008018989) MODULE DE MÉMOIRE EN LIGNE DOUBLE ENTIÈREMENT À MÉMOIRE TAMPON AVEC CORRECTION D'ERREUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/018989    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016661
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 24.07.2007
CIB :
G11C 29/00 (2006.01)
Déposants : MARVELL WORLD TRADE LTD. [BB/BB]; L'Horizon Gunsite Road, Brittons Hill, St. Michael, BB 14027 (BB) (Tous Sauf US).
SUTARDJA, Sehat [US/US]; (US) (US Seulement).
AZIMI, Saeed [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SUTARDJA, Sehat; (US).
AZIMI, Saeed; (US)
Mandataire : WIGGINS, Michael, D.; HARNESS, DICKEY & PIERCE, P.L.C., P.O. Box 828, Bloomfield Hills, Michigan 48303 (US)
Données relatives à la priorité :
60/821,422 04.08.2006 US
60/823,989 30.08.2006 US
60/825,361 12.09.2006 US
60/827,976 03.10.2006 US
11/584,946 23.10.2006 US
11/655,451 19.01.2007 US
11/655,603 19.01.2007 US
11/655,449 19.01.2007 US
Titre (EN) FULLY- BUFFERED DUAL IN-LINE MEMORY MODULE WITH FAULT CORRECTION
(FR) MODULE DE MÉMOIRE EN LIGNE DOUBLE ENTIÈREMENT À MÉMOIRE TAMPON AVEC CORRECTION D'ERREUR
Abrégé : front page image
(EN)A memory module comprises first memory that stores data in memory blocks; second memory that temporarily stores data from at least one of the memory blocks and third memory for storing a relationship between addresses of the at least one of the memory blocks in the first memory and corresponding addresses of the data from the at least one of the memory blocks in the second memory. Storage capacities of the second and third memories are less than a storage capacity of the first memory. A control module selectively transfers data in the at least one of the memory blocks in the first memory to the second memory and stores and retrieves data from the second memory for the at least one of the memory blocks based on the relationship during the testing.
(FR)La présente invention concerne un module de mémoire comprenant une première mémoire qui stocke des données dans des blocs de mémoire ; une deuxième mémoire qui stocke temporairement des données d'au moins l'un des blocs de mémoire et une troisième mémoire destinée au stockage d'une relation entre des adresses du ou des blocs de mémoire de la première mémoire et des adresses correspondantes des données du ou des blocs de mémoire de la deuxième mémoire. Les capacités de stockage des deuxième et troisième mémoire sont inférieures à la capacité de stockage de la première mémoire. Un module de contrôle transfère sélectivement des données du ou des blocs de mémoire de la première mémoire vers la deuxième mémoire et stocke et récupère des données de la deuxième mémoire pour le ou les blocs de mémoire en fonction de la relation lors des tests.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)