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1. (WO2008018870) EMBASE DE STOCKAGE DE CHARGES INTÉGRÉE ET STRUCTURE DE DÉCOUPLAGE LARGE BANDE INCORPORÉE POUR CIRCUITS INTÉGRÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/018870    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/030986
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 09.08.2006
CIB :
H01G 2/22 (2006.01), H01G 4/30 (2006.01), H01G 4/40 (2006.01)
Déposants : GEOMAT INSIGHTS, LLC [US/US]; 813 Cherry Street, Santa Rosa, CA 95404 (US) (Tous Sauf US).
BARNETT, Ronald [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BARNETT, Ronald; (US)
Mandataire : COSTA, Jessica; LAW OFFICE OF JESSICA COSTA, P.O. Box 460, Crozet, VA 22932 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INTEGRAL CHARGE STORAGE BASEMENT AND WIDEBAND EMBEDDED DECOUPLING STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) EMBASE DE STOCKAGE DE CHARGES INTÉGRÉE ET STRUCTURE DE DÉCOUPLAGE LARGE BANDE INCORPORÉE POUR CIRCUITS INTÉGRÉS
Abrégé : front page image
(EN)A capacitive structure (20) and technique for allowing near-instantaneous charge transport and reliable, wide-band RF ground paths in integrated circuit devices such as integrated circuit dies, integrated circuit packages, printed circuit boards, and electronic circuit substrates is presented. Methods for introducing resistive loss, dielectric loss, magnetic loss, and/or radiation loss in a signal absorption ring (25a, 25b, 25c) implemented around a non-absorptive area (34a) of one or more conductive layers (14, 18) of an integrated circuit structure (20) to dampen laterally flowing Electro-Magnetic (EM) waves between electrically adjacent conductive layers of the device are also presented.
(FR)L'invention concerne une structure capacitive (20) et une technique permettant un transport de charges quasi instantané et des trajets de mise à la masse RF à large bande fiables pour des dispositifs à circuits intégrés tels que des puces à circuits intégrés, des boîtiers de circuits intégrés, des cartes de circuits imprimés, et des substrats de circuits électroniques. L'invention concerne également des méthodes pour créer des pertes résistives, des pertes diélectriques, des pertes magnétiques, et/ou des pertes par radiation dans un anneau absorbant les signaux (25a, 25b, 25c) réalisé autour d'une zone non absorbante (34a) d'une ou plusieurs couches conductrices (14, 18) d'une structure de circuit intégré (20) pour amortir les ondes électromagnétiques (EM) se propageant latéralement entre des couches conductrices électriquement adjacentes du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)