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1. (WO2008018817) HÉTÉROSTRUCTURE ÉLECTROLUMINESCENTE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/018817    N° de la demande internationale :    PCT/RU2007/000441
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 01.08.2007
CIB :
H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01)
Déposants : 'SVETLANA - OPTOELEKTRONIKA' [RU/RU]; pr. Engelsa, 27 St.Petersburg, 194156 (RU) (Tous Sauf US).
ZAKGEIM, Dmitry Aleksandrovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
ROZHANSKY, Igor Vladimirovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : ZAKGEIM, Dmitry Aleksandrovich; (RU).
ROZHANSKY, Igor Vladimirovich; (RU)
Mandataire : STEPANOVA, Nina Ivanovna; a/ya 3 St.Petersburg, 194223 (RU)
Données relatives à la priorité :
2006129223 08.08.2006 RU
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING HETEROSTRUCTURE
(FR) HÉTÉROSTRUCTURE ÉLECTROLUMINESCENTE SEMI-CONDUCTRICE
(RU) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА
Abrégé : front page image
(EN)The inventive semiconductor light-emitting heterostructure is based on solid solutions of nitrides of third group metals AlxInyGa1-(x+y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1) with a p-n junction and comprises a sequence of epitaxial layers which form n- and p-type conductivity fields, in one of which an active area (4) provided with at least one quantum well is formed and the other area comprises a current-limiting layer (2), wherein the inventive active area (4) is arranged inside the p-type conductivity field and the current-limiting layer (2) is arranged in the n-type conductivity field.
(FR)La présente invention concerne une hétérostructure électroluminescente semi-conductrice à base de solutions solides de nitrures de métaux du troisième groupe AlxInyGa1-(x+y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1) à jonction p-n, laquelle hétérostructure comprend une succession de couches épitaxiales formant des champs de conductivité de type n et de type p, une zone active (4) comprenant au moins un puits quantique étant formée dans l'un de ces champs, l'autre champ comprenant une couche de limitation du courant (2). Selon cette invention, la zone active (4) se trouve dans le champ de conductivité de type p, tandis que la couche de limitation du courant (2) se trouve dans le champ de conductivité de type n.
(RU)Сущность изобретения заключается в том, что в полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуре на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы АlxInyGa1-(x+y) N • (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤1) с р-n переходом, содержащей последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и р-типа проводимости, в одной из которых сформирована активная область (4), имеющая по меньшей мере одну квантовую яму, а другая включает токоограничивающий слой (2), согласно изобретению активная область (4) размещена внутри области, имеющей р-тип проводимости, а токоограничивающий слой (2) размещен в области, имеющей р-тип проводимости.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)