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1. (WO2008018490) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM CONDUCTEUR, TRANSISTOR À FILM MINCE, PANNEAU AVEC UN TRANSISTOR À FILM MINCE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/018490    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/065493
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 08.08.2007
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), G02F 1/1345 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
ULVAC Materials, INC. [JP/JP]; 10-1, Misawa, Tomisato-shi, Chiba 2860225 (JP) (Tous Sauf US).
TAKASAWA, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEI, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Hirohisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATAGIRI, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UKISHIMA, Sadayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANI, Noriaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIBASHI, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MASUDA, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKASAWA, Satoru; (JP).
TAKEI, Masaki; (JP).
TAKAHASHI, Hirohisa; (JP).
KATAGIRI, Hiroaki; (JP).
UKISHIMA, Sadayuki; (JP).
TANI, Noriaki; (JP).
ISHIBASHI, Satoru; (JP).
MASUDA, Tadashi; (JP)
Mandataire : ISHIJIMA, Shigeo; Toranomonkougyou Bldg., 3F, 1-2-18, Toranomon Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-218122 10.08.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM, THIN FILM TRANSISTOR, PANEL WITH THIN FILM TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM CONDUCTEUR, TRANSISTOR À FILM MINCE, PANNEAU AVEC UN TRANSISTOR À FILM MINCE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À FILM MINCE
(JA) 導電膜形成方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、及び薄膜トランジスタの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a conductive film having high adhesion and low resistivity. Specifically, a conductive film (25) mainly composed of copper and containing an additional metal such as Ti or Zr is formed by sputtering a target mainly composed of copper in a vacuum atmosphere into which an oxidizing gas is introduced. The thus-formed conductive film (25) exhibits high adhesion to a silicon layer (23) or a glass substrate (22), and is hardly separated from the substrate (22). In addition, since the conductive film (25) has low resistivity and low contact resistance to a transparent conductive film, the electrical characteristicsof the conductive film (25) do not deteriorate even when it is used as an electrode film. Consequently, the conductive film (25) is particularly suitable as an electrode film or a barrier film for a TFT or semiconductor device.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film conducteur qui présente une adhérence élevée et une résistivité faible. En particulier, un film conducteur (25) composé principalement de cuivre et contenant un métal additionnel tel que du Ti ou du Zr, est formé en pulvérisant une cible composée principalement de cuivre dans une atmosphère sous vide dans laquelle est introduit un gaz oxydant. Le film conducteur (25) ainsi formé présente une adhérence élevée vis-à-vis d'une couche de silicium (23) ou d'un substrat de verre (22), et peut être difficilement séparé du substrat (22). En outre, étant donné que le film conducteur (25) présente une faible résistivité et une faible résistance de contact vis-à-vis d'un film conducteur transparent, les caractéristiques électriques du film conducteur (25) ne se détériorent pas même lorsqu'il est utilisé en tant que film d'électrode. Par conséquent, le film conducteur (25) convient particulièrement en tant que film d'électrode ou film barrière d'un dispositif à TFT ou à semiconducteur.
(JA) 密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。銅を主成分とするターゲットを、酸化ガスを導入した真空雰囲気中でスパッタリングし、銅を主成分とし、Ti又はZr等の添加金属を含有する導電膜25を形成する。このような導電膜25はシリコン層23やガラス基板22に対する密着性が高く、基板22上から剥がれ難い。しかも、比抵抗が低く、透明導電膜に対するコンタクト抵抗も低いので、電極膜に用いた場合でもその電気的特性が劣化しない。従って、本発明により成膜された導電膜25はTFTや半導体素子の電極膜やバリア膜に特に適している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)