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1. (WO2008018329) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'INFORMATION ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/018329    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/065022
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 31.07.2007
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 101/00 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
KAWANO, Hiroyuki; (US Seulement)
Inventeurs : KAWANO, Hiroyuki;
Mandataire : YAMAMOTO, Shusaku; Fifteenth Floor, Crystal Tower 2-27, Shiromi 1-chome Chuo-ku Osaka-shi,Osaka 5406015 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-214788 07.08.2006 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC INFORMATION APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF D'INFORMATION ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器
Abrégé : front page image
(EN)A high performance solid-state imaging apparatus is manufactured by correctly controlling the thickness of a reflection preventing film arranged on the surface of a photodiode and the thickness of a side wall arranged on a gate electrode side wall of a MOS transistor, without increasing the number of manufacturing steps. In the solid-state imaging apparatus (10) wherein a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in the peripheral circuit region are mixedly mounted, the reflection preventing film (7) on the surface of the photodiode and the side wall (9) arranged on the side wall of the gate electrode (3) of the MOS transistor are formed at the same time in the same step by laminating three layers of insulating films (4-6) and by employing photography and dry etching. Specifically, the reflection preventing film (7) controls the refractive indexes and the thicknesses of the lower layer insulating film (3) and the middle layer insulating film (4) to be optimum so that reflection preventing effects are high, and the side wall (9) controls the thicknesses of the lower insulating film (4), the middle layer insulating film (5) and the upper layer insulating film (6) to be optimum so that an LDD region can be accurately formed.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteur haute performance dont le procédé de fabrication consiste à contrôler correctement l'épaisseur d'un film anti-réflexion disposé sur la surface d'une photodiode et l'épaisseur d'une paroi latérale disposée sur une paroi latérale d'électrode de grille d'un transistor MOS, sans augmenter le nombre d'étapes de fabrication. Dans le dispositif d'imagerie à semi-conducteur (10), une pluralité de photodiodes d'une zone d'imagerie sont montées en même temps que chaque transistor MOS dans la zone de circuit périphérique, et le film anti-réflexion (7) sur la surface de la photodiode et la paroi latérale (9) disposée sur celle de l'électrode de grille (3) du transistor MOS sont formés simultanément dans la même étape par stratification de trois couches de films isolants (4-6) et par photographie et gravure à sec. Plus précisément, le film anti-réflexion (7) contrôle les indices de réfraction et les épaisseurs du film isolant de couche inférieure (3) et du film isolant de couche médiane (4) de manière optimale pour obtenir des effets anti-réflexion élevés, et la paroi latérale (9) contrôle l'épaisseur du film isolant de couche inférieure (4), de celui de couche médiane (5) et de celui de couche supérieure (6) de manière optimale pour pouvoir former avec précision une zone LDD.
(JA)製造工程を増加させることなく、フォトダイオード表面に設けられた反射防止膜の膜厚およびMOSトランジスタのゲート電極側壁に設けられたサイドウォール厚を適正に制御して、高性能な固体撮像装置を作製する。撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各MOSトランジスタが混載された固体撮像装置10において、フォトダイオード表面の反射防止膜7と、MOSトランジスタのゲート電極3の側壁に設けられるサイドウォール9とを、3層の絶縁膜4~6を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。具体的には、反射防止膜7は、反射防止効果が高くなるように下層絶縁膜3と中間層絶縁膜4の屈折率および膜厚を最適に制御し、かつ、サイドウォール9は、LDD領域を精度良く形成できるように下層絶縁膜4、中間層絶縁膜5および上層絶縁膜6の膜厚を最適に制御する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)