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1. (WO2008017457) MODULATEURS DE LUMIÈRE COMPRENANT DES COUCHES DE PUITS QUANTIQUES SI-GE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/017457    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/006974
Date de publication : 14.02.2008 Date de dépôt international : 07.08.2007
CIB :
G02F 1/017 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : PAUL SCHERRER INSTITUT [CH/CH]; CH-5232 Villigen (PSI) (CH) (Tous Sauf US).
POLITECNICO DI MILANO [IT/IT]; Piazza Leonardo da Vinci, 32, I-20133 Milano (IT) (Tous Sauf US).
CHRASTINA, Daniel [GB/IT]; (IT) (US Seulement).
SIGG, Hans-Christen [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
SOICHIRO, Tsujino [JP/CH]; (CH) (US Seulement).
VON KÄNEL, Hans [CH/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : CHRASTINA, Daniel; (IT).
SIGG, Hans-Christen; (CH).
SOICHIRO, Tsujino; (CH).
VON KÄNEL, Hans; (CH)
Mandataire : FISCHER, Michael; c/o Siemens Schweiz AG, Albisriederstrasse 245, CH-8047 Zürich (CH)
Données relatives à la priorité :
06016771.5 11.08.2006 EP
Titre (EN) LIGHT MODULATORS COMPRISING SI-GE QUANTUM WELL LAYERS
(FR) MODULATEURS DE LUMIÈRE COMPRENANT DES COUCHES DE PUITS QUANTIQUES SI-GE
Abrégé : front page image
(EN)Optical modulators include active quantum well structures (200) coherent with pseudosubstrates (100) comprising relaxed buffer layers (104, 106, 108, 110) on a silicon substrate (102). In a preferred method the active structures, consisting of Si1-x Gex barrier and well layers with different Ge contents x, are chosen in order to be strain compensated. The Ge content in the active structures may vary in a step-wise fashion along the growth direction or in the form of parabolas within the quantum well regions. Optical modulation may be achieved by a plurality of physical effects, such as the Quantum Confined or Optical Stark Effect, the Franz-Keldysh Effect, exciton quenching by hole injection, phase space filling or temperature modulation. In a preferred method the modulator structures are grown epitaxially by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition (LEPCVD).
(FR)La présente invention concerne des modulateurs optiques comprenant des structures actives de puits quantiques (200) cohérentes avec des pseudosubstrats (100) comprenant des couches tampons exemptes de tensions (104, 106, 108, 110) sur un substrat de silicium (102). Dans un procédé préféré, les structures actives, constituées d'une barrière de Si1-xGex et des couches de puits avec différentes teneurs x en Ge, sont choisies de façon à être à contrainte compensée. La teneur en Ge dans les structures actives peut varier par étapes dans le sens de la croissance ou sous forme de paraboles dans les régions des puits quantiques. On peut obtenir une modulation optique par une pluralité d'effets physiques, tels que l'effet Stark confiné ou l'effet Stark optique, l'effet de Franz-Keldysh, la désactivation des excitons par injection dans les trous, le remplissage de l'espace de phase ou la modulation de la température. Dans un procédé préféré, les structures modulatrices sont amenées à se développer de manière épitaxiale par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma sous énergie réduite (LEPCVD).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)