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1. (WO2008016829) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT POSSÉDANT UNE BARRIÈRE DE CONFINEMENT ÉLECTRIQUE À PROXIMITÉ DE LA ZONE ACTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/016829    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/074480
Date de publication : 07.02.2008 Date de dépôt international : 26.07.2007
CIB :
H01S 5/00 (2006.01)
Déposants : FINISAR CORPORATION [US/US]; 1389 Moffett Park Drive, Sunnyvale, CA 94089 (US) (Tous Sauf US).
JOHNSON, Ralph, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
BIARD, James, R.; (US) (US Seulement).
GUENTER, James, K. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JOHNSON, Ralph, H.; (US).
BIARD, James, R.; (US).
GUENTER, James, K.; (US)
Mandataire : ISRAELSEN, Burns, R.; Workman Nydegger, 1000 Eagle Gate Tower, 60 East South Temple, Salt Lake City, UT 84111 (US)
Données relatives à la priorité :
11/461,353 31.07.2006 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN ELECTRICAL CONFINEMENT BARRIER NEAR THE ACTIVE REGION
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT POSSÉDANT UNE BARRIÈRE DE CONFINEMENT ÉLECTRIQUE À PROXIMITÉ DE LA ZONE ACTIVE
Abrégé : front page image
(EN)Light emitting semiconductor devices such as VCSELs, SELs, and LEDs are manufactured to have a thin electrical confinement barrier in a confining layer near the active region of the device. The thin confinement barrier comprises a III-V semiconductor material having a high aluminum content (e.g. 80%-100% of the type III material). The aluminum content of the adjacent spacer layer is lower than that of the confinement barrier. In one embodiment the spacer layer has an aluminum content of less than 40% and a direct bandgap. The aluminum profile reduces series resistance and improves the efficiency of the semiconductor device.
(FR)L'invention concerne des dispositifs à semiconducteur électroluminescent tels que des VCSEL, des SEL, et des DEL fabriqués de manière à comporter une fine barrière de confinement électrique dans une couche de confinement à proximité de la zone active du dispositif. Cette fine barrière de confinement comprend un matériau semiconducteur III-V à teneur élevée en aluminium (par ex., 80%-100% de matériau de type III). La teneur en aluminium de la couche d'espacement adjacente est inférieure à celle de la barrière de confinement. Dans l'un des modes de réalisation, la couche d'espacement possède une teneur en aluminium inférieure à 40% et une structure de bande directe. Le profilé d'aluminium réduit la résistance en série et améliore l'efficacité du dispositif à semiconducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)