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1. (WO2008016143) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/016143    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/065280
Date de publication : 07.02.2008 Date de dépôt international : 03.08.2007
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (Tous Sauf US).
TERASAKI, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORITA, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IZUMI, Manabu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TERASAKI, Masato; (JP).
MORITA, Shinya; (JP).
IZUMI, Manabu; (JP)
Mandataire : AKAZAWA, Hideo; Nakano KI Bldg. 4F, 5-1, Nakano 4-chome, Nakano-ku, Tokyo 1640001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-212769 04.08.2006 JP
2006-311784 17.11.2006 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a substrate processing apparatus by which a maintenance cycle can be lengthened and prevents byproducts from dropping onto a substrate even when the byproducts are accumulated. In one embodiment, the substrate processing apparatus is provided with a processing chamber for processing the substrate by holding the substrate with a substrate holder; a reaction tube which demarcates the processing chamber; a heating apparatus arranged around the reaction tube for heating the processing chamber; and an exhaust tube, which is connected to the reaction tube above the substrate in the processing chamber, extends downward from the heating apparatus by having the extending section separated from the reaction tube and exhausts a gas in the reaction tube.
(FR)La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat permettant d'allonger le cycle d'entretient et empêche les sous-produits de tomber sur un substrat même lorsque ces sous-produits sont accumulés. Dans un mode de réalisation, l'appareil de traitement de substrat comporte une chambre de traitement servant à traiter le substrat en maintenant le substrat avec un support de substrat ; un tube de réaction qui démarque la chambre de traitement ; un appareil de chauffage disposé autour du tube de réaction pour chauffer la chambre de traitement ; et un tube d'évacuation, qui est connecté au tube de réaction au-dessus du substrat dans la chambre de traitement, qui s'étend vers le bas depuis l'appareil de chauffage, la section étendue étant séparée du tube de réaction, et qui évacue un gaz dans le tube de réaction.
(JA) 本発明は、メンテナンス周期を長くすることができるとともに、副生成物が溜まっても基板上に落下することが無い基板処理装置を提供することを目的とし、本発明の一態様は、基板を基板保持具により保持しつつ処理する処理室と、該処理室を画成する反応管と、該反応管の周囲に配置され、前記処理室を加熱する加熱装置と、前記処理室内の基板より上方側で前記反応管に連通されるとともに前記加熱装置より下方迄延出し、該延出する延在部が前記反応管から離反して設けられている前記反応管内のガスを排気する排気管とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)