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1. (WO2008015533) NOUVEAUX PRÉCURSEURS POROGÈNES ET COUCHES DIÉLECTRIQUES POREUSES REALISÉES À PARTIR DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/015533    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/002184
Date de publication : 07.02.2008 Date de dépôt international : 30.07.2007
CIB :
H01L 21/312 (2006.01), C23C 16/32 (2006.01)
Déposants : L'AIR LIQUIDE-SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75 quai d'Orsay, F-75321 Paris Cedex 07 (FR).
VAUTIER, Manon [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
SANDRE, Etienne [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : VAUTIER, Manon; (FR).
SANDRE, Etienne; (FR)
Données relatives à la priorité :
0653228 01.08.2006 FR
Titre (EN) POROUS DIELECTRIC LAYERS OBTAINED FROM PORE -FORMING PRECURSORS
(FR) NOUVEAUX PRÉCURSEURS POROGÈNES ET COUCHES DIÉLECTRIQUES POREUSES REALISÉES À PARTIR DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to porous dielectric layers obtained from pore -forming precursors and from matrix precursors. According to the invention, the pore- forming precursors used are chosen from molecules of myrtenol, ethyl chrysanthemumate, jasmone, trimethylbenzene, their positional isomers and their substituted or hydrogenated derivatives. The dielectric constant of the layer obtained is less than or equal to 2.5, starting from matrix precursors having a dielectric constant of less than or equal 4.
(FR)La présente invention concerne de nouveaux précurseurs porogènes et des couches diélectriques poreuses obtenues à partir de ces précurseurs porogènes et à partir de précurseurs matriciels. Selon l'invention, les précurseurs porogènes utilisés sont choisis parmi des molécules de myrtenol, du chrysanthémate d'éthyle, la jasmone, du triméthylbenzène, leurs isomères de position et leurs dérivés substitués ou hydrogénés. La constante diélectrique obtenue est inférieure ou égale à 2,5, avec au départ des précurseurs matriciels ayant une constante diélectrique inférieure ou égale à 4.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)