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1. (WO2008015499) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE SONDAGE DE DISPOSITIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/015499    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/054087
Date de publication : 07.02.2008 Date de dépôt international : 01.08.2006
CIB :
H01L 23/485 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
ST MICROELECTRONICS SAS [FR/FR]; 850 Rue Jean Monnet, F-38920 Crolles (FR) (Tous Sauf US).
ZECRI, Michel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GOLDBERG, Cindy [US/US]; (US) (US Seulement).
FER, Mathieu [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
SCOTT, Ruth [--/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : ZECRI, Michel; (FR).
GOLDBERG, Cindy; (US).
FER, Mathieu; (FR).
SCOTT, Ruth; (FR)
Mandataire : WHARMBY, Martin Angus; c/o Impetus IP Ltd, LTD Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke, Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING PROBING OF DEVICES
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE SONDAGE DE DISPOSITIFS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device capable of sustaining a probing test of the type carried out during semiconductor device manufacture the device comprising a plurality of semiconductor layers (104) formed in accordance with a predetermined purpose of the device, the device comprising: a passivation layer (110) formed over the uppermost of the plurality of semiconductors layers; a metallic layer (120) to which bonds (126) may be attached and which includes at least one probing region (118) for carrying out said probing tests; characterised in that the metallic layer includes one or more discontinuities (122) in the surface thereof which act to dissipate any forces generated by a probe being applied thereto, such that the effective area over which the force is dissipated is greater than the area of the probe in contact therewith.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs capable de maintenir un test de sondage du type réalisé au cours de la fabrication du dispositif à semi-conducteurs. Ledit dispositif comporte une pluralité de couches à semi-conducteurs (104) formées selon une application prédéterminée du dispositif; une couche de passivation (110) formée au-dessus de la couche à semi-conducteurs supérieure; et une couche métallique (120) à laquelle des liens peuvent être attachés et comprenant au moins une zone de sondage (118) destinée à la mise en oeuvre dudit test de sondage. Le dispositif selon l'invention est caractérisé en ce que la couche métallique comporte une ou plusieurs discontinuités (122) dans sa surface, servant à dissiper toute force produite par une sonde appliquée à la couche métallique, de telle manière que la surface efficace sur laquelle la force est dissipée est supérieure à la surface de la sonde se trouvant en contact avec la couche métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)