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1. (WO2008015470) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE FLUX GAZEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/015470    N° de la demande internationale :    PCT/GB2007/050429
Date de publication : 07.02.2008 Date de dépôt international : 20.07.2007
CIB :
B01D 53/86 (2006.01), B01D 53/70 (2006.01), B01D 53/68 (2006.01), B01J 19/08 (2006.01)
Déposants : EDWARDS LIMITED [GB/GB]; Manor Royal, Crawley, West Sussex RH10 9LW (GB) (Tous Sauf US).
GRANT, Robert, Bruce [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : GRANT, Robert, Bruce; (GB)
Mandataire : BOOTH, Andrew Steven; Edwards Limited, Manor Royal, Crawley, West Sussex RH10 9LW (GB)
Données relatives à la priorité :
0615271.4 01.08.2006 GB
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A GAS STREAM
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE FLUX GAZEUX
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus for treating a gas stream comprises a nonthermal plasma reactor, for example a dielectric barrier discharge plasma reactor (30), containing a silicon- containing solid for reacting with a halogen-containing component of the gas stream to form a gaseous silicon halide. A sorbent bed (60) of material chosen to react with the silicon halide to form inorganic halides is located downstream from the plasma reactor. A similar bed (50) of material is located upstream from the plasma reactor to remove silicon halide and other acid gas components from the gas stream before it enters the plasma reactor.
(FR)La présente invention concerne un appareil de traitement de flux gazeux comprenant un réacteur à plasma non thermique, par exemple, un réacteur à plasma de décharge à barrière diélectrique (30), contenant un solide contenant du silicium pour la réaction avec un composant contenant de l'halogène du flux de gaz en vue de former un halogénure de silicium gazeux. Un lit sorbant (60) d'un matériau choisi pour réagir avec l'halogénure de silicium en vue de former des halogénures inorganiques est situé en aval du réacteur à plasma. Un lit similaire (50) de matériau est situé en amont du réacteur à plasma de manière à supprimer l'halogénure de silicium et les autres composants gazeux acides du flux gazeux avant son entrée dans le réacteur à plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)