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1. (WO2008014537) DÉTERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DE PORTEURS MINORITAIRES PAR LUMINESCENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/014537    N° de la demande internationale :    PCT/AU2007/001050
Date de publication : 07.02.2008 Date de dépôt international : 27.07.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.05.2008    
CIB :
G01N 21/64 (2006.01), G01N 21/31 (2006.01), G01N 21/88 (2006.01)
Déposants : NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED [AU/AU]; Rupet Myers Building, Gate 14 Barker Street, Univeristy of New South Wales, NSW 2052 (AU) (Tous Sauf US).
TRUPKE, Thorsten [DE/AU]; (AU) (US Seulement).
BARDOS, Robert, Andrew [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
WURFEL, Peter, Wilhelm [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : TRUPKE, Thorsten; (AU).
BARDOS, Robert, Andrew; (AU).
WURFEL, Peter, Wilhelm; (DE)
Mandataire : SHELSTON IP; 60 Margaret Street, Sydney, NSW 2000 (AU)
Données relatives à la priorité :
2006904160 01.08.2006 AU
Titre (EN) DETERMINING DIFFUSION LENGTH OF MINORITY CARRIERS USING LUMINESCENCE
(FR) DÉTERMINATION DE LA LONGUEUR DE DIFFUSION DE PORTEURS MINORITAIRES PAR LUMINESCENCE
Abrégé : front page image
(EN)Methods (200, 300), apparatuses and systems (100) for determining minority carrier diffusion lengths in a semiconductor structure (130), which may be a solar cell or a unprocessed or partially processed silicon sample, are disclosed. The luminescence (140) may comprise photoluminescence, electroluminescence, or both. Luminescence (140) is excited (212) in the structure (130), and the intensities of short- and long- wavelength luminescence (140) are measured (214). Luminescence intensities may be captured from either side of the sample using a single photodetector, a FPA, a CCD array (150), or a mapping tool. The luminescence (140) excited in the structure (130) may be filtered (160) at short and long cutoff wavelengths. Diffusion lengths of the structure (130) are generated (216) using a predefined theoretical relationship. The generating step (216) may comprise calculating (316) intensity ratios from luminescence intensities and converting (320) the intensity ratios into diffusion lengths using the predefined theoretical relationship.
(FR)La présente invention concerne des procédés (200, 300), des appareils et des systèmes (100) servant à déterminer les longueurs de diffusion de porteurs minoritaires dans une structure semi-conductrice (130) qui peut être une cellule solaire ou un échantillon de silicium non traité ou partiellement traité. La luminescence (140) peut comprendre la photoluminescence, et/ou l'électroluminescence. La luminescence (140) est excitée (212) dans la structure (130), et les intensités de luminescence (140) à ondes courtes ou longues sont mesurées (214). Les intensités de luminescence peuvent être captées depuis les deux côtés de l'échantillon au moyen d'un simple photodétecteur, d'un FPA, d'une matrice CCD (150), ou d'un outil de cartographie. La luminescence (140) excitée dans la structure (130) peut être filtrée (160) à des longueurs d'ondes de coupure courtes ou longues. Les longueurs de diffusion de la structures (130) sont générées (216) au moyen d'une relation théorique prédéfinie. L'étape de génération (216) peut consister à calculer (316) les rapports d'intensité à partir des intensités de luminescence et à convertir (320) les rapports d'intensité en longueurs de diffusion au moyen de la relation théorique prédéfinie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)