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1. (WO2008014332) PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR DIRIGER UNE SOURCE DE FAISCEAU IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/014332    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/074341
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 25.07.2007
CIB :
H01J 27/14 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01), C23C 14/22 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01)
Déposants : CARDINAL CG COMPANY [US/US]; 775 Prairie Center Drive, Suite 200, Eden Prairie, MN 55344-4235 (US) (Tous Sauf US).
GENERAL PLASMA, INC. [US/US]; 110 East Yvon Drive, Tucson, AZ 85704 (US) (Tous Sauf US).
GERMAN, John [US/US]; (US) (US Seulement).
HARTIG, Klaus [DE/US]; (US) (US Seulement).
MADOCKS, John, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GERMAN, John; (US).
HARTIG, Klaus; (US).
MADOCKS, John, E.; (US)
Mandataire : FELLER, Michael, J.; Fredrickson & Byron, P.A., 200 South Sixth Street, Suite 4000, Minneapolis, MN 55402-1425 (US)
Données relatives à la priorité :
11/493,703 26.07.2006 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUSES FOR DIRECTING AN ION BEAM SOURCE
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR DIRIGER UNE SOURCE DE FAISCEAU IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for directing an ion beam toward a surface of a substrate is disclosed. Certain embodiments of the invention relate generally to ion beam sources adapted to direct ion beams toward a surface of a substrate at an oblique angle of incidence relative to the surface. Certain embodiments of the invention are adapted to direct two ion beam portions toward a substrate surface, the ion beam portions having substantially equal throw distances. Preferred embodiments of the invention may be useful in etching applications, where the angle of incidence and throw distance of two ion beam portions are well suited for etching the surface of a substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil pour diriger un faisceau ionique vers la surface d'un substrat. Certains modes de réalisation de l'invention portent. d'une manière générale, sur des sources de faisceau ionique aptes à diriger des faisceaux ioniques vers la surface d'un substrat à un angle d'incidence oblique par rapport à la surface. Certains modes de réalisation de l'invention sont aptes à diriger deux parties de faisceau ionique vers une surface de substrat, les parties de faisceau ionique ayant des distances de projection sensiblement égales. Des modes de réalisation préférés de l'invention peuvent être utiles dans des applications de gravure, où l'angle d'incidence et l'angle de projection de deux parties de faisceau ionique sont bien appropriés pour graver la surface d'un substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)