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1. (WO2008014032) TRANSFERT DE CONTRAINTE À UNE COUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/014032    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/068098
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 03.05.2007
CIB :
H01L 31/117 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
SPENCER, Gregory, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
KOLAGUNTA, Venkat, R. [IN/US]; (US) (US Seulement).
RAMANI, Narayanan, C. [IN/US]; (US) (US Seulement).
TRIVEDI, Vishal, P. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SPENCER, Gregory, S.; (US).
KOLAGUNTA, Venkat, R.; (US).
RAMANI, Narayanan, C.; (US).
TRIVEDI, Vishal, P.; (US)
Mandataire : KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/460,748 28.07.2006 US
Titre (EN) TRANSFER OF STRESS TO A LAYER
(FR) TRANSFERT DE CONTRAINTE À UNE COUCHE
Abrégé : front page image
(EN)A strained semiconductor layer (18) is achieved by a method for transferring stress from a dielectric layer (30) to a semiconductor layer (18). The method comprises providing a substrate (12) having a semiconductor layer (18). A dielectric layer (30) having a stress is formed over the semiconductor layer (18). A radiation anneal (32) is applied over the dielectric layer of a duration not exceeding 10 milliseconds to cause the stress of the dielectric layer (30) to create a stress in the semiconductor layer (18). The dielectric layer (30) may then be removed. At least a portion of the stress in the semiconductor layer (18) remains in the semiconductor layer after the dielectric layer (30) is removed. The radiation anneal can be either by using either a laser beam or a flash tool. The radiation anneal can also be used to activate source/drain regions (26, 28).
(FR)Dans le cadre de la présente invention, une couche semi-conductrice sollicitée (18) est réalisée par un procédé pour transférer une contrainte à partir d'une couche diélectrique (30) à une couche semi-conductrice (18). Le procédé consiste à fournir un substrat (12) qui possède une couche semi-conductrice (18). Une couche diélectrique (30) qui possède une contrainte est formée sur la couche semi-conductrice (18). Un recuit de rayonnement (32) est appliqué sur la couche diélectrique d'une durée qui ne dépasse pas 10 millisecondes pour forcer la contrainte de la couche diélectrique (30) à créer une contrainte dans la couche semi-conductrice (18). La couche diélectrique (30) peut alors être déplacée. Au moins une partie de la contrainte dans la couche semi-conductrice (18) reste dans la couche semi-conductrice après que la couche diélectrique (30) est retirée. Le recuit de rayonnement peut être réalisé en utilisant un faisceau laser ou un outil à éclairs. Le recuit de rayonnement peut également être utilisé pour activer des régions de source/drain (26, 28).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)