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1. (WO2008013982) RENDEMENT D'ACTIVATION RÉGLABLE EN TENSION, À MÉDIATION PAR DÉPLÉTION DE CHARGE, HAUTEMENT EFFICACE, ET FRÉQUENCE DE RÉSONANCE DE RÉSONATEURS À SYSTÈMES NANOÉLECTROMÉCANIQUES À SEMI-CONDUCTEUR PIÉZOÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013982    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016983
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 30.07.2007
CIB :
H03H 9/02 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01)
Déposants : CALIFORNIA INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 1200 East California Boulevard, Pasadena, CA 91125 (US) (Tous Sauf US).
MASMANIDIS, Sotirios, K. [GR/US]; (US) (US Seulement).
KARABALIN, Rassul, B. [KZ/US]; (US) (US Seulement).
ROUKES, Michael, L. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MASMANIDIS, Sotirios, K.; (US).
KARABALIN, Rassul, B.; (US).
ROUKES, Michael, L.; (US)
Mandataire : FELDMAR, Jason, S.; Gates & Cooper LLP, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, CA 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
60/834,054 28.07.2006 US
Titre (EN) NANO ELECTROMECHANICAL RESONATOR
(FR) RENDEMENT D'ACTIVATION RÉGLABLE EN TENSION, À MÉDIATION PAR DÉPLÉTION DE CHARGE, HAUTEMENT EFFICACE, ET FRÉQUENCE DE RÉSONANCE DE RÉSONATEURS À SYSTÈMES NANOÉLECTROMÉCANIQUES À SEMI-CONDUCTEUR PIÉZOÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A nanoelectromechanical systems (NEMS) device and method for using the device provide for a movable member that includes a region of low conductivity over which an electric field is developed. A region width is within a factor of ten (10) of a thickness of the NEMS device. The region is formed between a junction that incorporates piezoelectric material. A first voltage is applied across the region which alters a width of an active portion of the region thereby adjusting a movement of the movable member induced by a second voltage. The second voltage is applied across the region to produce a strain on the active portion of the region. The strain results in a defined movement of the movable member.
(FR)L'invention concerne un dispositif à systèmes nanoélectromécaniques (NEMS) et un procédé pour l'utilisation du dispositif selon lequel un élément mobile comprenant une région de faible conductivité sur laquelle un champ électrique est développé. Une largeur de région est dans un facteur de dix (10) d'une épaisseur du dispositif NEMS. La région est formée entre une jonction qui incorpore une matière piézoélectrique. Une première tension est appliquée à travers la région qui modifie une largeur d'une partie active de la région, ajustant ainsi un mouvement de l'élément mobile induit par une seconde tension. La seconde tension est appliquée à travers la région pour produire une contrainte sur la partie active de la région. La contrainte conduit à un mouvement défini de l'élément mobile.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)