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1. (WO2008013959) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS POUR FORMER DES MONOCOUCHES DE NANOSTRUCTURE ET DISPOSITIF COMPORTANT DE TELLES MONOCOUCHES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013959    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016948
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 27.07.2007
CIB :
H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : NANOSYS, INC. [US/US]; 2625 Hanover Street, Palo Alto, CA 94304 (US) (Tous Sauf US).
NALLABOLU, Madhuri, L. [IN/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Chao [CN/US]; (US) (US Seulement).
DUAN, Xiangfeng [CN/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Jian [CN/US]; (US) (US Seulement).
PARCE, J., Wallace [US/US]; (US) (US Seulement).
CRUDEN, Karen, Chu [US/US]; (US) (US Seulement).
RANGANATHAN, Srikanth [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NALLABOLU, Madhuri, L.; (US).
LIU, Chao; (US).
DUAN, Xiangfeng; (US).
CHEN, Jian; (US).
PARCE, J., Wallace; (US).
CRUDEN, Karen, Chu; (US).
RANGANATHAN, Srikanth; (US)
Mandataire : LEBLANC, Stephen, J.; Quine Intellectual Property Law Group, P.c., P.o. Box 458, Alameda, CA 94501 (US)
Données relatives à la priorité :
11/495,188 28.07.2006 US
Titre (EN) METHODS AND DEVICES FOR FORMING NANOSTRUCTURE MONOLAYERS AND DEVICES INCLUDING SUCH MONOLAYERS
(FR) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS POUR FORMER DES MONOCOUCHES DE NANOSTRUCTURE ET DISPOSITIF COMPORTANT DE TELLES MONOCOUCHES
Abrégé : front page image
(EN)Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, formation of arrays in spin-on-dielectrics, solvent annealing after nanostructure deposition, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices). Methods for protecting nanostructures from fusion during high temperature processing are also provided.
(FR)La présente invention concerne des procédés de formation ou de modelage de contours de réseaux de nanostructures. Les procédés comprennent la formation de réseaux sur des revêtements comprenant des groupes de combinaison de nanostructures, la formation de réseaux dans des diélectriques amovibles, le recuit de solvants après le dépôt de nanostructures, le modelage de contours utilisant une réserve, et/ou l'utilisation de dispositifs facilitant la formation de réseaux. L'invention concerne également des dispositifs de formation de réseaux de nanostructures, ainsi que des dispositifs comportant des réseaux de nanostructures (par exemple, des dispositifs à mémoire). L'invention concerne en outre des procédés de protection de nanostructures contre la fusion lors de traitement à haute température.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)