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1. (WO2008013931) STRUCTURE LDMOSFET À SOURCE EN BAS ET PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013931    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016885
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 28.07.2007
CIB :
H01L 23/58 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD. [--/US]; Canon's Court, 22 Victoria Street, Hamilton HM12 (BM) (Tous Sauf US)
Inventeurs : HÉBERT, François; (US)
Mandataire : LIN, Bo-In; 13445 Mandoli Drive, Los Altos Hills, CA 94022 (US)
Données relatives à la priorité :
11/495,803 28.07.2006 US
Titre (EN) BOTTOM SOURCE LDMOSFET STRUCTURE AND METHOD
(FR) STRUCTURE LDMOSFET À SOURCE EN BAS ET PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)This invention discloses bottom-source lateral diffusion MOS (BS-LDMOS) device The device has a source region (160) disposed laterally opposite a drain region (125) near a top surface of a semiconductor substrate (105) supporting a gate (140) thereon between the source and drain region The BS-LDMOS device further has a combined sinker-channel region (115) disposed at a depth in the semiconductor substrate (105) entirely below a body region (150) disposed adjacent to the source region (160) near the top surface wherein the combined sinker-channel region functioning as a buried source-body contact for electrically connecting the body region (150) and the source region (160) to a bottom of the substrate (105) functioning as a source electrode A drift region (125) is disposed near the top surface under the gate (140) and at a distance away from the source region (160) and extending to and encompassing the drain region (125).
(FR)L'invention concerne un dispositif MOS à diffusion latérale à source en bas (BS-LDMOS). Le dispositif a/comprend une région de source disposée de manière latérale à l'opposé d'une région de drain à côté d'une surface supérieure d'un substrat semi-conducteur supportant une grille sur celui-ci entre la région de source et la région de drain. Le dispositif BS-LDMOS comprend en outre une région puits-canal combinés disposée à une profondeur dans le substrat semi-conducteur entièrement en dessous d'une région de corps disposée de manière adjacente à la région de source près de la surface supérieure dans laquelle la région puits-canal combinés fonctionnant en tant que contact source-corps est enfouie pour connecter de manière électrique la région de corps et la région de source à une partie inférieure du substrat fonctionnant en tant qu'électrode de source. Une région de dérive est disposée à côté de la surface supérieure sous la grille et à une distance éloignée de la région de source et s'étend vers la région de drain tout en l'englobant. La région puits-canal combinés s'étendant en dessous de la région de dérive et de la région puits-canal combinés a une conductivité de dopant opposée à et compensant la région de dérive pour réduire la capacité source-drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)