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1. (WO2008013778) COMPENSATION DE DISTORSION DANS LA LITHOGRAPHIE PAR CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/013778    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016580
Date de publication : 31.01.2008 Date de dépôt international : 24.07.2007
CIB :
G03F 7/00 (2006.01), B29C 59/02 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P. [US/US]; 20555 S. H. 249, Houston, Texas 77070 (US) (Tous Sauf US).
WU, Wei [CN/US]; (US) (US Seulement).
STEWART, Duncan [CA/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Shih-Yuan [US/US]; (US) (US Seulement).
WILLIAMS, R., Stanley [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WU, Wei; (US).
STEWART, Duncan; (US).
WANG, Shih-Yuan; (US).
WILLIAMS, R., Stanley; (US)
Mandataire : COLLINS, David, W.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Admiistration, P.O. Box 272400, M/S 35, Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
11/492,365 24.07.2006 US
Titre (EN) COMPENSATION FOR DISTORTION IN CONTACT LITHOGRAPHY
(FR) COMPENSATION DE DISTORSION DANS LA LITHOGRAPHIE PAR CONTACT
Abrégé : front page image
(EN)A method of contact lithography includes predicting distortions likely to occur in transferring a pattern from a mold (110) to a substrate (130) during a contact lithography process: and modifying the mold (110) to compensate for the distortions. A contact lithography system includes a design subsystem (210) configured to generate data describing a lithography pattern: an analysis subsystem (220) configured to identify one or more distortions likely to occur when using a mold (110) created from the data; and a mold modification subsystem (230) configured to modify the data to compensate for the one or more distortions identified by the analysis subsystem (220).
(FR)Un procédé de lithographie par contact consiste à prévoir des distorsions susceptibles d'apparaître lors du transfert d'un motif d'un moule (110) vers un substrat (130) dans un procédé de lithographie par contact, et à modifier le moule (110) pour compenser les distorsions. Un système de lithographie par contact comporte un sous-système de conception (210) configuré pour produire des données décrivant un motif de lithographie; un sous-système d'analyse (220) configuré pour identifier une ou plusieurs distorsions susceptibles d'apparaître lors de l'utilisation d'un moule (110) créé à partir des données; et un sous-système de modification de moule (230) configuré pour modifier les données afin de compenser la ou les distorsions identifiées par le sous-système d'analyse (220).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)